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J-GLOBAL ID：202302253696540989   整理番号：23A1392070

絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長

Metal induced lateral crystallization of amorphous Ge on insulating substrate

著者 (2件)： 角田功 (熊本高専) ,  高倉健一郎 (熊本高専)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 123  号： 8(SDM2023 1-17)  ページ： 55-58 (WEB ONLY)  発行年： 2023年04月14日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究室では,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している.金属誘起横方向成長は,金属材料を非晶質半導体内に導入することにより,結合を弱め,通常の固相結晶化法と比較して,より低温で誘起できる特徴がある.我々は,この金属誘起横方向成長に放射線照射および応力印加を重畳する手法を試み,通常の金属誘起成長に比べて横方向成長速度をそれぞれ約3倍および約10倍に促進できることを明らかにした.(著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *固相成長 ,  *金属触媒 ,  電子照射 ,  応力 ,  非晶質 ,  半導体薄膜 ,  横方向 ,  エピタクシー ,  絶縁膜 ,  Raman分光法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (6件)：

• T. Aoki, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, M. Miyao, “Au-induced lateral crystallization of a-Si_1-xGe_x(x:0-1) at low temperature”, Thin Solid Films, vol. 508,44, (2006).
• K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Asano, and M. Miyao, “Ni-imprint induced solid-phase crystallization in Si_1-xGe_x (x:0-1) on insulator”, Appl. Phys. Lett., vol. 91, 042111 (2007).
• T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, M. Miyao, “Low-temperature (~250°C) Cu-induced lateral crystallization of amorphous Ge on insulator”, Electrochemical and Solid-State Letters, vol. 14 (7),H274 (2011).
• B. Hekmatshoar, D. Shahrjerdi, S. Mohajerzadeh, A. Khakifirooz, A. Goodarzi, and M. Robertson, “Low-temperature stress assisted germanium-induced crystallization of silicon-germanium alloys on flexible polyethylene terephthalate substrates”, J. Vac. Sci. Technol., vol. A 21, 752 (2003).
• B. Hekmatshoar, S. Mohajerzadeh, D. Shahrjerdi, and M. D. Robertson, “Thin-film tunneling transistors on flexible plastic substrates based on stress-assisted lateral growth of polycrystalline germanium”, Appl. Phys. Lett., vol. 85, 1054 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁基板 ,  非晶質 ,  Ge ,  薄膜 ,  誘起 ,  横方向成長