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J-GLOBAL ID：202302262248761828   整理番号：23A0207215

選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:成長窓形成プロセス改善

Fabrication of GaN FinFETs using selective area growth: Improvements of process to form growth windows

著者 (10件)： 久恒悠介 (東京工大) ,  太田貴士 (東京工大) ,  佐々木満孝 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.23a-B204-3  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： トランジスタ ,...
準シソーラス用語： ゲート長 ,...

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分類 (5件)： 細胞生理一般  (EF02010S) ,  分子構造  (EB03020Y) ,  レーダ  (ND13010H) ,  生体の顕微鏡観察法  (EA03050C) ,  生物物理的研究法  (EA03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 選択成長 ,  GaN ,  FinFET ,  作製 ,  成長 ,  窓形成 ,  プロセス改善