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J-GLOBAL ID:202302268388182014   整理番号:23A0310762

PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流特性と光応答

Voltage-Current Characteristics and Optical Responses of PEDOT:PSS/ZnO Nanorods/GZO Heterojunctions
著者 (3件):
資料名:
巻: 122  号: 271(ED2022 24-48)  ページ: 5-10 (WEB ONLY)  発行年: 2022年11月17日 
JST資料番号: U2030A  ISSN: 2432-6380  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流(V-I)曲線は,順方向領域と逆方向領域にヒステリシスループ伴う整流特性を示した.360nmの紫外光(UV光)照射によって順方向領域のヒステリシス面積は減少するのに対して,逆方向領域のヒステリシス面積は増加した.暗状態における順方向電圧上昇時のln V-ln I曲線およびFowler-Nordheim(F-N)プロット(ln(I/V2)-1/V曲線)は三つの領域に分割された.順方向低電圧印加時のV-I曲線はオーミック特性を示したが,順方向高電圧印加時は電流がほぼ印加電圧の4乗に比例していた.順方向低電圧領域および順方向高電圧領域おけるキャリア輸送機構はそれぞれ直接トンネリングとF-Nトンネリングによるものである.順方向中間電圧領域では,電流がほぼ印加電圧の2乗に比例する空間電荷制限伝導の挙動が観察された.暗状態における順方向電圧印加(0→3→0V)のもとでのV-I測定の繰り返し回数の増加は,最大順方向電流の増加を生じた.(著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  高分子固体の物理的性質 
引用文献 (13件):

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