特許

J-GLOBAL ID：202303007871105421

ナノギャップ電極を有するガスセンサ及びその製造方法

発明者： 真島 豊 ,  ファン チョン トゥエ ,  土佐 翼 ,  小澤 正邦
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  国立大学法人東海国立大学機構
代理人 (1件)： 弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-154058
公開番号（公開出願番号）：特開2021-032746
特許番号：特許第7385859号
出願日： 2019年08月26日
公開日（公表日）： 2021年03月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1電極及び第2電極を含み、前記第1電極の一端と前記第2電極の一端とがナノギャップを形成するように離隔して配置されたナノギャップ電極と、 金属酸化物のナノ粒子と、を含み、 前記第1電極の一端と、前記第2電極の一端とが、5nm以上30nm以下の長さで離隔し、 前記金属酸化物のナノ粒子のサイズが、3nm以上30nm以下であり、 前記金属酸化物のナノ粒子は、前記ナノギャップに配置されているガスセンサ。

IPC (4件)：

G01N 27/12 ( 200 6.01) ,  G01N 27/04 ( 200 6.01) ,  B82Y 15/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01)

FI (5件)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B ,  G01N 27/04 F ,  B82Y 15/00 ,  B82Y 40/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 抵抗型酸素センサ用酸化物半導体ナノ粒子集合体、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-042464   出願人：太平洋セメント株式会社
• 薄膜型センシング部材を利用した化学センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-221178   出願人：三星電子株式会社
• ガスセンサおよびそれを備えた内燃機関ならびに輸送機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-109031   出願人：ヤマハ発動機株式会社
• ガスセンサチップ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-100079   出願人：新コスモス電機株式会社, 財団法人新産業創造研究機構, 日本板硝子株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• NO2 sensing properties of macroporous In2O3-based powders fabricated by utilizing ultrasonic spray p
• Effect of micro-gap electrode on sensing properties to dilute chlorine gas of indium oxide thin film