特許

J-GLOBAL ID：202303020188506522

pチャネルGaNMOSデバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 三橋真二 , 鶴田準一 , 南山知広 , 森本有一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-137005
公開番号（公開出願番号）：特開2023-031488
出願日： 2021年08月25日
公開日（公表日）： 2023年03月09日
要約：

【課題】性能を向上させることができるpチャネルGaNMOSデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 pチャネルGaNMOSデバイス1は、GaN層14と、ソース領域に対応する面14aに形成されたp型GaN層15aと、ドレイン領域に対応する面14bに形成されたp型GaN層15bと、ゲート領域に対応する面14c、面14cに隣接するp型GaN層15aの側面及び面14cに隣接するp型GaN層15bの側面に形成された絶縁層16と、ゲート電極19と、を備え、ゲート電極19に負のゲート電圧を印加したときに、p型GaN層15a、GaN層14及びp型GaN層15bに亘る正孔の蓄積層ACCがp型GaN層15aの側面、面14c及びp型GaN層15bの側面に沿って形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に配置され、ゲート領域に対応する第1面、前記第1面に隣接するとともにソース領域に対応する第2面及び前記第1面に隣接するとともにドレイン領域に対応する第3面を有する第1GaN層と、前記第2面に形成された第1p型GaN層と、前記第3面に形成された第2p型GaN層と、前記第1面、前記第1面に隣接する前記第1p型GaN層の側面及び前記第1面に隣接する前記第2p型GaN層の側面に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成され、前記ゲート領域に印加するための負のゲート電圧が印加される第1金属電極と、を備え、前記ゲート領域に前記負のゲート電圧を印加したときに、前記第1p型GaN層、前記第1GaN層及び前記第2p型GaN層に亘る正孔の蓄積層が、前記第1面に隣接する前記第1p型GaN層の側面、前記第1面及び前記第1面に隣接する前記第2p型GaN層の側面に沿って形成されることを特徴とする、pチャネルGaNMOSデバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 21/336 , H01L 29/41 , H01L 29/417 , H01L 21/28

FI (11件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/78 301X , H01L29/78 301G , H01L29/78 301H , H01L29/78 301B , H01L29/78 301V , H01L29/44 S , H01L29/44 L , H01L29/50 M , H01L21/28 301B

Fターム (51件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF04 , 4M104HH20 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ03 , 5F102GQ09 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC16 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5F140AA26 , 5F140AC01 , 5F140AC18 , 5F140BA06 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BD05 , 5F140BE03 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140CB04

引用特許：

出願人引用 (1件)

GaN及びその他のIII-V材料の原子層エッチング
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-111397 出願人：ラムリサーチコーポレーション

審査官引用 (6件)

特許第9812532号
GaN系電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-034725 出願人：古河電気工業株式会社
化合物半導体FET
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-020635 出願人：トヨタ自動車株式会社, 学校法人トヨタ学園

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