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J-GLOBAL ID：202402245250139979   整理番号：24A1213101

熱タングステン線で活性化したH₂/O₂混合物によるポリスチレン型重合体の除去速度に及ぼす光活性化合物の影響

Photoactive Compounds Effects on Removal Rate for Polystyrene-type Polymers by H₂/O₂ Mixture Activated by Hot Tungsten Wire

著者 (8件)： Yamamoto Masashi (National Institute of Technology, Kagawa College, Department of Electrical and Computer Engineering) ,  Akita Koki (National Institute of Technology, Kagawa College, Department of Electrical and Computer Engineering) ,  Maniwa Tomohiro (National Institute of Technology, Kagawa College, Department of Electrical and Computer Engineering) ,  Asakawa Machi (National Institute of Technology, Kagawa College, Department of Electrical and Computer Engineering) ,  Shikama Tomokazu (National Institute of Technology, Kagawa College, Department of Electrical and Computer Engineering) ,  Nagaoka Shiro (Osaka Prefecture University, Department of Physics and Electronics) ,  Umemoto Hironobu (Shizuoka University) ,  Horibe Hideo (Osaka City University, Department of Physics and Electronics)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology (Web)  (Journal of Photopolymer Science and Technology (Web))
巻： 36  号： 5  ページ： 283-290(J-STAGE)  発行年： 2023年 
JST資料番号： U2132A  ISSN： 1349-6336  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂/O₂ガス混合物がホットタングステンフィラメントによって活性化された時,純粋な水素系のそれと比較して,ポジティブ型ノボラックフォトレジストの除去速度が増強されることを以前に報告した。しかし,添加酸素量が1.0%以上に増加すると,除去速度はかなり減少した。除去速度のこの低下の1つの原因として,ノボラック樹脂と主なフォトレジスト成分である光活性化合物(PAC)の間の架橋を具体的に調べた。本研究では,ノボラック樹脂上の架橋部位を同定するために,「PAC媒介架橋モデル」を提案した。PACと官能基の相互作用を調べるために,種々のPAC含量のポリスチレン系ポリマーの除去性を調べた。側鎖の末端部にOH基を有するポリ(ビニルフェノール)では,PAC含有量が18.7wt%のときに添加酸素の増加と共に除去率の著しい低下が確認された。この減少は他では決して観察されなかった。市販のポジティブ型ノボラックフォトレジストでは,過剰酸素添加下での除去速度の低下は,ノボラック樹脂の主鎖上のOH基近くのPACの媒介によって形成される架橋に起因する可能性がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *剥離 ,  過酸化水素 ,  重合体 ,  架橋【高分子】 ,  ラジカル反応 ,  比率 ,  *レジスト ,  ノボラック ,  活性化 ,  熱影響 ,  ポリビニルフェノール ,  ポリスチレン類
準シソーラス用語： ノボラック樹脂 ,  *レジスト剥離 ,  光活性化合物 ,  除去率 ,  熱活性化

著者キーワード (6件)： 架橋 ,  H_2/O_2混合物 ,  光活性化合物(PAC) ,  ポリスチレン型ポリマー ,  ラジカル ,  除去

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (22件)：

• 1. M. Yamamoto, H. Umemoto, K. Ohdaira, T. Shikama, T. Nishiyama, and H. Horibe, Jpn. J. Appl. Phys., 55 (2016) 076503/1-5.
• 2. M. Yamamoto, T. Taki, T. Sunada, T. Shikama, S. Nagaoka, H. Umemoto, and H. Horibe, J. Photopolym. Sci. Technol., 31 (2018) 419.
• 3. M. Yamamoto, T. Shiroi, T. Shikama, S. Nagaoka, H. Umemoto, and H. Horibe, J. Photopolym. Sci. Technol., 32 (2019) 609.
• 4. K. Akita, S. Sogo, R. Sogame, M. Yamamoto, S. Nagaoka, H. Umemoto, and H. Horibe, J. Photopolym. Sci. Technol., 34 (2021) 499.
• 5. H. Umemoto and M. Moridera, J. Appl. Phys., 103 (2008) 034905.

タイトルに関連する用語 (9件)： タングステン ,  活性化 ,  H2 ,  O2 ,  混合物 ,  ポリスチレン ,  重合体 ,  除去速度 ,  活性化合物