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J-GLOBAL ID：201802290495207930   整理番号：18A1758425

少量の酸化ラジカルを含む水素ラジカルを用いたKrFおよびArFフォトレジスト用ポリマの除去

Removal of Polymers for KrF and ArF Photoresist Using Hydrogen Radicals Containing a Small Amount of Oxidizing Radicals

著者 (7件)： Yamamoto Masashi (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Taki Tomohiro (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Sunada Takuto (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Shikama Tomokazu (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Nagaoka Shiro (Department of Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Umemoto Hironobu (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University) ,  Horibe Hideo (Graduate School of Engineering, Osaka City University)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 31  号： 3  ページ： 419-424(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステン熱線触媒上で調製する水素ラジカルを用いたフォトレジスト除去法は,従来の電子デバイス製造法における環境的および工業的な問題を解決するために有効である。しかし,その除去率は従来のものほど良くない。以前に著者等は水素ラジカルが生成する雰囲気に少量の酸素ガスを添加することにより,ノボラックポジ型フォトレジストの除去率が向上することを述べた。OHやOラジカルといった酸化ラジカルをHラジカルと共に生成できる。本研究では,KrFおよびArFフォトレジストのポリマー除去に及ぼす酸素添加の影響を調べた:前者はポリビニルフェノール(PVP)であり,後者はポリメタクリル酸メチル(PMMA)である。PVPへの酸素添加の影響を確認した。一方,PMMAへの影響はノボラックフォトレジストおよびPVPの場合とは異なっていた。結果は,ベンゼン環の有無,ポリマーの性質,および酸化ラジカルの反応性に起因した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  除去 ,  ラジカル ,  水素 ,  酸素化 ,  問題解決 ,  アルゴン化合物 ,  フッ化物 ,  フッ化クリプトン ,  エキシマレーザ ,  ポリビニルフェノール ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ノボラック ,  比率 ,  *ラジカル反応
準シソーラス用語： フッ化アルゴン ,  フッ化アルゴンレーザ ,  フッ化クリプトンレーザ ,  環境問題解決 ,  酸化ラジカル ,  酸素付加 ,  除去率 ,  水素ラジカル ,  熱線触媒

著者キーワード (5件)： フォトレジスト ,  除去 ,  水素ラジカル ,  酸素添加 ,  環境

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A)

引用文献 (30件)：

• 1. H. Morinaga, T. Futatsuki, T. Ohmi, E. Fuchita, M. Oda, and C. Hayashi, J. Electrochem. Soc., 142 (1995) 966.
• 2. K. Hirose, H. Shimada, S. Shimomura, M. Onodera, and T. Ohmi, J. Electrochem. Soc., 141 (1994) 192.
• 3. M. A. Worsley, S. F. Bent, N. C. M. Fuller, and T. Dalton, J. Appl. Phys., 100 (2006) 083301.
• 4. K. Shinagawa, H. Shindo, K. Kusaba, T. Koromogawa, J. Yamamoto, and M. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2001) 5856.
• 5. S. Fujimura and H. Yano, J. Electrochem. Soc., 135 (1988) 1195.

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化 ,  ラジカル ,  水素ラジカル ,  ARF ,  フォトレジスト ,  ポリマ