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J-GLOBAL ID:202402258205499607   整理番号:24A1594889

中性子反射率法を用いたスルホン化ポリイミド薄膜の界面構造

Interfacial structure of sulfonated polyimide thin film using neutron reflectometry
著者 (11件):
資料名:
巻: 104th  ページ: ROMBUNNO.D342-2am-04 (WEB ONLY)  発行年: 2024年 
JST資料番号: U2384A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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リオトロピック液晶性を有するリチウム伝導性スルホン化ポリイミドは,リチウムイオン電池のカソードに塗布すると,放電レート特性が向上することを報告してきた。この界面構造を調べるために中性子反射率法および原子間力顕微鏡法を用いて界面構造の検討を行った。その結果,基板側に密度が異なる2-5nm厚の界面層があることを見出した。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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二次電池  ,  その他の液晶 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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