特許
J-GLOBAL ID：202403013308608961
トレンチMOS型ショットキーダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
弁理士法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-091276
公開番号（公開出願番号）：特開2021-077903
特許番号：特許第7433611号
出願日： 2016年04月28日
公開日（公表日）： 2021年05月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Ga2O3系単結晶からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層に積層される層であって、その前記第1の半導体層と反対側の面に開口するトレンチを有する、Ga2O3系単結晶からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の前記第1の半導体層と反対側の面上に形成されたアノード電極と、 前記第1の半導体層の前記第2の半導体層と反対側の面上に形成されたカソード電極と、 前記第2の半導体層の前記トレンチの内面を覆う絶縁膜と、 前記第2の半導体層の前記トレンチ内に前記絶縁膜に覆われるように埋め込まれ、前記アノード電極に接触するトレンチMOSゲートと、 を有し、 前記絶縁膜の材料がAl2O3又はHfO2であり、 前記トレンチの深さが6μm以下であり、 前記第2の半導体層のドナー濃度が6.0×1016cm-3以下であり、 前記第2の半導体層の厚さが5.5μm以上であり、1μAのリーク電流が流れるときの逆方向電圧が300V以上10kV以下である、 トレンチMOS型ショットキーダイオード。
IPC (4件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/24 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/86 301 E
, H01L 29/86 301 M
, H01L 29/06 301 F
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/24
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
