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J-GLOBAL ID：202502213277528156   整理番号：25A0684724

スパッタリング法で作製した高Sc濃度ScGaN膜の圧電・強誘電特性

Piezoelectricity and Ferroelectricity of High Sc Concentration ScGaN Film prepared by sputtering method

著者 (9件)： 上原雅人 (産業技術総合研) ,  平田研二 (産業技術総合研) ,  中村美子 (東京工大) ,  安岡慎之介 (東京工大) ,  ANGGRAINI Sri Ayu (産業技術総合研) ,  岡本一輝 (東京工大) ,  山田浩志 (産業技術総合研) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  秋山守人 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.24a-12H-7  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】ScxGa1-xNは優れた圧電性や強誘電性を示す。Scの高濃度化よって一層優れた特性が期待できるが、これまでSc濃度(x)が0.45以上では結晶性の低下や岩塩相の析出によって特性が低下していた。今回、製膜条件の再検討により最大でx=...【本文一部表示】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  合金 ,  格子定数 ,  焼結 ,  電場 ,  *ガリウム ,  *スカンジウム ,  *圧電気 ,  *強誘電性 ,  結晶度 ,  酸化ハフニウム ,  *窒化ガリウム ,  加熱温度 ,  製膜 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタリング法 ,  作製 ,  圧電 ,  強誘電特性