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J-GLOBAL ID：202502291781896630   整理番号：25A0733979

(100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜における圧電応答の周波数依存性

Frequency dependence of piezoelectric response for (100)/(001)-oriented tetragonal Pb(Zr,Ti)O₃ films

著者 (12件)： 中畑美紀 (東京工大) ,  岡本一輝 (東京工大) ,  石濱圭佑 (東大) ,  清水荘雄 (NIMS) ,  小金澤智之 (JASRI) ,  KUMARA Rosantha (JASRI) ,  仲谷友孝 (JASRI) ,  池田理 (JASRI) ,  坂田修身 (JASRI) ,  山田智明 (名古屋大) ,  山田智明 (東工大 MDX) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.17p-B3-7  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】Pb(Zr, Ti)O3(PZT)薄膜は圧電MEMS応用で広く使用されている[1]。我々は組成相境界を用いない、正方晶の(100)/(001)膜のドメインスイッチングによる圧電性向上を提案してきた[2-3]。(100)/(001)配...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  シンクロトロン放射 ,  相互作用 ,  電場 ,  分極 ,  白金 ,  *圧電気 ,  *周波数依存性 ,  *正方晶系 ,  MEMS ,  *圧電応答 ,  ドメイン構造
準シソーラス用語： 電圧印加 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 配向 ,  正方晶 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  圧電応答 ,  周波数依存性