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J-GLOBAL ID:202602214072078723   整理番号:26A1349604

極薄CET(<1nm)High-kゲートスタックのための酸素パッシベーション界面層(O-PAS IL)の形成

Oxygen-Passivated Interfacial Layer (O-PAS IL) for Ultra-Scaled (CET < 1 nm) High-k Gate Stacks
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巻: 73rd  ページ: ROMBUNNO.15a-W8E_101-6  発行年: 2026年 
JST資料番号: Y0054C  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)

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