特許
J-GLOBAL ID：200903099631291866

半導体光変調器及び光変調器付きレーザ

発明者：
松岡 隆志

松岡 隆志 について

, 
深野 秀樹

深野 秀樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321580
公開番号（公開出願番号）：特開2004-133437
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】使用温度の影響を受け難く、また、逆バイアスの高い電圧印加を必要としない半導体光変調器を提供する。【解決手段】量子井戸構造とした光吸収層105の量子井戸層152が、In1-X-YGaXAlYN(0≦X,Y≦1,0≦X+Y≦1)から構成され、障壁層151が、In1-X'-Y'GaX'AlY'N(0≦X’,Y’≦1,0≦X’+Y’≦1)から構成され、光吸収層105には自然分極による電界が発生した状態にある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の下部クラッド層と、 この下部クラッド層の上に形成され、量子井戸層及び障壁層から構成された量子井戸構造の光吸収層と、 この光吸収層上に形成された第2導電形の上部クラッド層と を少なくとも備え、 前記量子井戸層は、In1-X-YGaXAlYN(0≦X,Y≦1,0≦X+Y≦1)から構成され、 前記障壁層は、In1-X'-Y'GaX'AlY'N(0≦X’,Y’≦1,0≦X’+Y’≦1)から構成され、 前記下部クラッド層,光吸収層,及び上部クラッド層により、光入射端を備えた光導波路が構成されている ことを特徴とする半導体光変調器。
IPC (2件)：
G02F1/017 ,  H01S5/026
FI (3件)：
G02F1/017 501 ,  G02F1/017 503 ,  H01S5/026 616
Fターム (24件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079DA25 ,  2H079DA26 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA12 ,  2H079HA15 ,  2H079JA01 ,  2H079JA07 ,  2H079KA18 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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