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J-GLOBAL ID:201002255377745168   整理番号:10A0465210

AlGaAs犠牲層を用いた金属埋め込み半導体ピラー構造の作製

著者 (11件):
資料名:
巻: 57th  ページ: ROMBUNNO.19A-TS-4  発行年: 2010年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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