特許
J-GLOBAL ID：201303088754959404
CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
杉村 憲司
, 杉村 興作
, 来間 清志
, 藤谷 史朗
, 澤田 達也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-053237
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261935
特許番号：特許第5204415号
出願日： 2007年03月02日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 CZ法によってSi単結晶インゴットを製造するに際し、先行する引き上げ処理で育成されたSi単結晶インゴットの複数の結晶位置から切り出されたウェーハの径方向における原子空孔の濃度分布を、下記に規定した原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整することを特徴とするCZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法。
記
本発明において、原子空孔の直接観測法とは、シリコンウェーハから所定の部位を切り出したシリコン試料に対し、外部磁場を必要に応じて印加した状態で、25K以下の温度域で冷却しながら、前記温度域でシリコン試料の温度低下に伴う膨張に追随できる物性をもちかつC軸が所定の方向に揃った薄膜振動子を表面に直接形成したシリコン試料に対し超音波パルスを発振し、発振させた超音波パルスをシリコン試料中を伝播させ、伝播した超音波パルスの音速変化を検出し、この音速変化から、冷却温度の低下に伴う弾性定数の減少量を算出し、この算出した弾性定数の減少量からシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の種類と濃度を定量評価することからなるシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価方法を意味する。
IPC (2件)：
C30B 15/20 ( 200 6.01)
, C30B 29/06 ( 200 6.01)
C30B 15/20
, C30B 29/06 A
, C30B 29/06 502 G
, C30B 29/06 502 J
