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J-GLOBAL ID：201502245769302680   整理番号：15A0127392

太陽電池の光起電特性へのInGaN/GaN多重量子井戸構造の影響

Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell

著者 (5件)： WATANABE Noriyuki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  MITSUHARA Manabu (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 11  ページ： 112301.1-112301.9  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短絡電流とMQW構造との関係の観点から,InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)太陽電池を調査した。以前に,高い短絡電流が薄いGaNバリヤー層で得られることを報告したが,本研究では,InGaN/GaNの周期層の数を増やすことによっても短絡電流が増加した。これらの結果は,光誘起されたキャリアーの輸送特性はInGaN井戸層内で光誘起されたキャリアーが再結合するまでに動く距離で特徴付けられる,との仮定によって説明することができる。キャリヤー収集効率は,バリアー層において順方向の内部電界によるドリフトによって高められ,井戸層において逆内部電界及び層間のポテンシャル障壁によって生じるキャリアーの蓄積によって劣化する。これによりMQW構造の特徴長への影響を説明できる。このモデルを使用して,短絡電流を高めるためのMQW構造をどのように決定するのかを論じ,InGaN井戸の最適な厚さは,GaN障壁層が3.8nmのとき,約2.3nmであるとの結論に至った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *光起電力 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  *多重量子井戸 ,  *短絡電流 ,  再結合
準シソーラス用語： GaN ,  InGaN ,  *量子井戸太陽電池

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (39件)：

• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaffs, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
• W. Walukiewicz, S. X. Li, J. Wu, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst Growth 269, 119 (2004).
• R. E. Jones, R. Broesler, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, W. Walukiewicz, X. Chen, and W. J. Schaff J. Appl. Phys. 104, 123501 (2008).
• A. Yamamoto, Md. R. Islam, T.-T. Kang, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi C 7, 1309 (2010).
• O. Jani, I. Ferguson, C. Honsberg, and S. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 91, 132117 (2007).

タイトルに関連する用語 (4件)： 太陽電池 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸