特許
J-GLOBAL ID：201903008612078797

半導体素子

発明者：
佐々木 公平

佐々木 公平 について

, 
倉又 朗人

倉又 朗人 について

, 
東脇 正高

東脇 正高 について


出願人/特許権者：
株式会社タムラ製作所

株式会社タムラ製作所 について

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国立研究開発法人情報通信研究機構

国立研究開発法人情報通信研究機構 について


代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-165684
公開番号（公開出願番号）：特開2019-012836
出願日： 2018年09月05日
公開日（公表日）： 2019年01月24日
要約：
【課題】放熱特性及び耐電圧性に優れたGa2O3系の半導体素子を提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ga2O3系結晶からなる下地基板11と、Ga2O3系結晶からなり、下地基板11上のエピタキシャル層12と、下地基板11の下面上のカソード電極13と、エピタキシャル層12の上面上のアノード電極14と、Ga2O3系結晶よりも熱伝導率の高い材料からなり、一方の面上に電極18を有し、カソード電極13に電極18が貼り合わされることにより下地基板11に貼り付けられた支持基板17と、を有するショットキーダイオード10を提供する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
Ga2O3系結晶からなる下地基板と、 Ga2O3系結晶からなり、前記下地基板上のエピタキシャル層と、 前記下地基板の下面上の下側電極と、 前記エピタキシャル層の上面上の上側電極と、 前記Ga2O3系結晶よりも熱伝導率の高い材料からなり、一方の面上に電極を有し、前記下側電極と前記上側電極の少なくともいずれか一方に前記電極が貼り合わされることにより前記下地基板と前記エピタキシャル層の少なくともいずれか一方に貼り付けられた支持基板と、 を有する、半導体素子。
IPC (20件)：
H01L 29/872 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/04 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20
FI (24件)：
H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/86 301E ,  H01L21/02 B ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/48 D ,  H01L21/88 T ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/20
Fターム (105件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF02 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033XX22 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ09 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F110AA11 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA34 ,  5F140BA00 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF25 ,  5F140BG27 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CE02 ,  5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152NN01 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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