佐藤威友

サトウタケトモ | Sato Taketomo

所属機関・部署：
職名：助教授・准教授
ホームページURL (1件)： http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~taketomo/home/index.html

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (8件)：窒化物半導体 , 電子デバイス , ウェットエッチング , 電気化学 , 多孔質構造 , 機能性表面 , 光電変換 , 化学センサ

競争的資金等の研究課題 (41件)：

2023 - 2026 窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
2021 - 2024 超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
2020 - 2023 強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
2016 - 2021 特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開
2016 - 2021 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)

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論文 (162件)：

Yining Jiao, Takahide Nukariya, Umi Takatsu, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi, Taketomo Sato, Masamichi Akazawa. Reduction in Gap State Density near Valence Band Edge at Al2O3/p-type GaN Interface by Photoelectrochemical Etching and Subsequent SiO2 Cap Annealing. Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2024
Ryota Ochi, Takuya Togashi, Yoshito Osawa, Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunari Fujikawa, Takashi Furuya, Ryota Isono, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato. Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques. Applied Physics Express. 2023. 16. 9. 091002-1-091002-2
Masamichi Akazawa, Yuya Tamamura, Takahide Nukariya, Kouta Kubo, Taketomo Sato, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi. Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/ p-type GaN interface using sub-bandgaplight- assisted capacitance-voltage method. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 19. 195302-1-195302-10
Michihito Shimauchi, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Taketomo SATO, Junichi Motohisa. Fabrication of GaN nanowires containing n+-doped top layer by wet processes using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment. Applied Physics Express. 2021
Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Yoshinobu Narita, Osamu Ichikawa, Ryota Isono, Takeshi Tanaka, Taketomo Sato. Self-terminating contactless photo-electrochemical (CL-PEC) etching for fabricating highly uniform recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs). Journal of Applied Physics. 2021. 130. 2. 024501-024501

MISC (7件)：

佐藤威友. 窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用-Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications-電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術. 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]. 2022. 2022. 172-177・179-190. 61-64
佐藤威友. 窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用-Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications-電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術. 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]. 2022. 2022. 32-37・39-50. 61-64
渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 市川磨, 磯野僚多, 田中丈士, 佐藤威友. コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製(2). 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 市川磨, 磯野僚多, 田中丈士, 佐藤威友. コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
佐藤威友, 渡部晃生, 熊崎祐介. 電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用. Proceedings of the Chemical Sensor Symposium. 2014. 56. 64-66

特許 (4件)：

書籍 (2件)：

半導体製造におけるウェット/ドライエッチング
(株)R&D支援センター 2022 ISBN:9784905507611
Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots
Springer 2007

講演・口頭発表等 (353件)：

Self-terminating photo-electrochemical (PEC) etching for recessed-gate fabrication on AlGaN/GaN HEMTs
(2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022))
Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)
光電気化学(PEC)エッチングの自己停止とAlGaN/GaN HEMTのゲートリセス加工
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)
n型及びp型GaN表面の電気化学的評価
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)
n-GaN加工表面に対するコンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチング (2)
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)

Works (2件)：

電子情報工学実験テキストの作成・更新
佐藤威友
量子集積エレクトロニクス研究センターホームページの更新
佐藤威友

学歴 (3件)：

1998 - 2001 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・博士後期課程
1996 - 1998 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・修士課程
1992 - 1996 北海道大学工学部電気工学科

学位 (1件)：

博士(工学) (北海道大学)

経歴 (3件)：

2004/04 - 現在北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター准教授
2001/10/01 - 2004/03/31 北海道大学大学院工学研究科助手
2001/04/01 - 2001/09/30 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター研究員

委員歴 (14件)：

2021/11 - 現在 SSDM Sub-Committee Area Vice Chair (Area4: Power / High-speed Devices and Materials)
2021/04 - 現在電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ電子デバイス (ED) 研究会電子デバイス (ED) 研究会専門委員会
2021 - 現在 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 実行委員
2020/04 - 現在応用物理学会 APEX/JJAP編集委員
2018/04 - 現在電子情報通信学会北海道支部学生会顧問

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受賞 (2件)：

2000/11 - 応用物理学会第61回秋期応用物理学会学術講演会『講演奨励賞』化合物半導体ナノショットキー界面の電気的特性とその制御
1997/12 - 電気関係学会北海道支部会平成9年度『若手講演者賞』 In situ 電気化学プロセスを用いたショットキー障壁の形成

所属学会 (4件)：

電気化学会 , 電子情報通信学会 , 応用物理学会 , 米国電気化学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

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