特許
J-GLOBAL ID：201803003921498076

エッチング方法及びエッチング装置

発明者：
佐藤 威友

佐藤 威友 について

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熊崎 祐介

熊崎 祐介 について

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橋詰 保

橋詰 保 について


出願人/特許権者：
国立大学法人北海道大学

国立大学法人北海道大学 について


代理人 (3件)： 特許業務法人 インテクト国際特許事務所 ,  奥 和幸 ,  美川 公司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-095458
公開番号（公開出願番号）：特開2018-195609
出願日： 2017年05月12日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
要約：
【課題】簡素な構造のヘテロ構造半導体を用いることが可能で、且つ表面の損傷性及び平坦性並びにエッチングの深さ制御性を向上させたエッチング方法を提供する。【解決手段】表面層13と、表面層13よりも狭い禁制帯幅の内部層12と、により構成されるヘテロ構造を有し、表面層13と内部層12との界面において伝導体の下端エネルギーが不連続である半導体の表面層13を光電気化学反応によりエッチングする場合に、表面層13を電解液内に浸した状態で、表面層13の禁制帯幅より高いエネルギーを有し且つエッチングの深さに対応した強度の励起光を照射すると共に、電解液側に正孔を移動させるための表面層13の内部電界、及び内部層12内にある正孔の表面層13に向けた移動を制限するための内部層12の内部電界にそれぞれ対応し、且つ表面層13内に酸化電流を流すための電圧を、励起光の照射と並行して印加する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面層と、当該表面層の禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅の内部層と、により構成されるヘテロ構造の半導体であって、当該表面層と当該内部層との界面において伝導体の下端エネルギーが不連続である半導体の当該表面層を、電解液を用いた光電気化学反応によりエッチングするエッチング方法において、 前記表面層におけるエッチング対象の領域が前記電解液内に浸されるように前記半導体を保持した状態で、 前記表面層の前記禁制帯幅より高いエネルギーを有する励起光であって、当該表面層のエッチングの深さに対応した強度の励起光を、前記保持されている半導体に照射する照射工程と、 i)前記電解液に接する前記表面層の面に向けて当該表面層内にある正孔を移動させるための当該表面層の内部電界に対応し、ii)前記内部層内にある正孔の前記表面層側に向けた移動を制限するための当該内部層の内部電界に対応し、且つiii)前記表面層内に酸化電流を流すための電圧を、前記励起光の照射と並行して前記半導体に印加する印加工程と、 を含むことを特徴とするエッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L21/306 L ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301V
Fターム (39件)：
5F043AA16 ,  5F043AA20 ,  5F043BB10 ,  5F043DD10 ,  5F043DD14 ,  5F043EE14 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC16 ,  5F140AA05 ,  5F140AA06 ,  5F140AA40 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE11 ,  5F140BF43
引用特許：
審査官引用 (6件)
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