研究者
J-GLOBAL ID:200901017549738808
更新日: 2022年09月13日
更家 淳司
サライエ ジュンジ | Saraie Junji
所属機関・部署:
旧所属 京都工芸繊維大学 大学院工芸科学研究科
旧所属 京都工芸繊維大学 大学院工芸科学研究科 について
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職名:
教授
研究分野 (3件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件):
結晶成長
, 光デバイス
, ナノ構造
, crystal growth
, optoelectronic devices
, nanostructure
競争的資金等の研究課題 (14件):
シリコン窒化膜の作製とメモリーデバイスへの応用
光通信用赤外および緑色半導体レーザの研究
化合物半導体の結晶成長
GaNAsBiのMBE成長
Si上の極薄絶縁膜
InNのMBE成長
II-VI化合物半導体ナノ構造のMBE成長
Silicon Nitride Thin Films and Their Application to Memory Devices
Infrared and Green Laser Diode for Optical Communications
Crystal Growth of Compound Semiconductors
MBE growth of GaNAsBi
very thin insulating films on Si
MBE growth of InN
MBE growth of nanostructures of II-VI compound semiconductors
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MISC (113件):
M Yoshimoto, H Yamamoto, W Huang, H Harima, J Saraie, A Chayahara, Y Horino. Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2003. 83. 17. 3480-3482
M Yoshimoto, S Murata, A Chayahara, Y Horino, J Saraie, K Oe. Metastable GaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 10B. L1235-L1237
M Yoshimoto, H Yamamoto, W Huang, H Harima, J Saraie, A Chayahara, Y Horino. Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2003. 83. 17. 3480-3482
M Yoshimoto, S Murata, A Chayahara, Y Horino, J Saraie, K Oe. Metastable GaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 10B. L1235-L1237
更家 淳司, 松村 信男. Fabrication of quantum dots of II-VIsemiconductors and Application to Light-emitting devices. J.Vac.Sac.Jpn. 2003. 46. 2. 111-115
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書籍 (14件):
MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices
IPAP Conf.Series 1, 2000
MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices
IPAP Conf.Series 1, 2000
Topmost surface analysis of 6H-SiC (0001) by coaxial impact collision ion scattaring spectroscopy
Inst. Phys. Conf. Ser. 1996
Growth of cubic SiC on Si substrate by CVD using Hexa-methyldisilane and hexachlorodisilane
Inst. Phys. Conf. Ser. 1996
Sublimation growth of cubic SiC bulk
Inst. Physics Conf. Ser. 1996
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学歴 (4件):
- 1968 京都大学 工学研究科 電気工学第II学科
- 1968 京都大学
- 1966 京都大学 工学部 電気工学科
- 1966 京都大学
学位 (3件):
工学博士 (京都大学)
工学修士 (京都大学)
工学士 (京都大学)
委員歴 (2件):
1999 - 応用物理学会 理事
1999 - Japan Society of Applied Physics Director
所属学会 (7件):
日本材料学会
, 応用物理学会
, 電子情報通信学会
, Society of Material Science, Japan
, Japan Society of Applied Physics
, Information and Communication Engineers
, The Institute of Electronics
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