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J-GLOBAL ID：200902274590541790   整理番号：03A0773179

分子ビームエピタクシーで成長させた準安定GaAsBi合金

Metastable GaAsBi Alloy Grown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (6件)： YOSHIMOTO M (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  MURATA S (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  CHAYAHARA A (AIST Kansai, Osaka, JPN) ,  HORINO Y (AIST Kansai, Osaka, JPN) ,  SARAIE J (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  OE K (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 10B  ページ： L1235-L1237  発行年： 2003年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 350~410°Cの基板温度(T_s)域で...

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： Vegard則

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• 1) K. Oe and H. Asai: Symp. Record Electronic Materials Symp., Izu-Nagaoka, 1995, p.191.
• 2) K. Oe and H. Asai: IEICE Trans. Electron. E79-C (1996) 1751.
• 3) K. Oe and H. Okamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1283.
• 4) K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2801.
• 5) S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas, P. Wei and F. Schiettekatte: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2245.

タイトルに関連する用語 (2件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長