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J-GLOBAL ID:200902274590541790   整理番号:03A0773179

分子ビームエピタクシーで成長させた準安定GaAsBi合金

Metastable GaAsBi Alloy Grown by Molecular Beam Epitaxy
著者 (6件):
資料名:
巻: 42  号: 10B  ページ: L1235-L1237  発行年: 2003年10月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
引用文献 (10件):
タイトルに関連する用語 (2件):
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