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J-GLOBAL ID：200902256633103735   整理番号：03A0767257

数%の酸素を組み込んだ多結晶InNに関する光学バンドギャップの拡大

Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen

著者 (7件)： YOSHIMOTO M (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  YAMAMOTO H (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HUANG W (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HARIMA H (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  SARAIE J (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  CHAYAHARA A (AIST Kansai, Osaka, JPN) ,  HORINO Y (AIST Kansai, Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 17  ページ： 3480-3482  発行年： 2003年10月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶InN中の酸素の絶対濃度を,Rutherford後方散...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素 ,  多結晶 ,  InN ,  光学バンドギャップ ,  拡大