研究者
J-GLOBAL ID:200901021913492264
更新日: 2020年04月29日
西坂 美香
ニシサカ ミカ | Nishisaka Mika
所属機関・部署:
旧所属 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
旧所属 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター について
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職名:
助手
研究分野 (2件):
ナノマイクロシステム
, ナノ材料科学
研究キーワード (2件):
Schottky contact
, SOI
競争的資金等の研究課題 (2件):
ショットキー接触を用いた半導体デバイスに関する研究
Study of Semiconductor Device by Using Schottky contacts.
MISC (3件):
M Nishisaka, Y Hamasaki, O Shirata, T Asano. Cross-hatch related oxidation and its impact on performance of strained-Si MOSFETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2004. 43. 4B. 1886-1890
M Nishisaka, S Matsumoto, T Asano. Schottky source/drain SOI MOSFET with shallow doped extension. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 4B. 2009-2013
Reduction of the Floating Body Effect in SOI MOSFETs by Using Schottky Source/Drain Contacts. Japanese Journal of Applied Physics. 1998. 37. 3B. 1295-1299
学歴 (4件):
- 1998 九州工業大学 情報工学研究科 情報科学
- 1998 九州工業大学
- 1996 九州工業大学 情報工学部 制御システム(]G0001[)
- 1996 九州工業大学
経歴 (5件):
2001 - - 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
2001 - - Center of Microelectronic Systems,
1998 - 2000 NTT通信エネルギー研究所
1998 - 2000 NTT Telecommunications Energy Labs.
Kyushu Inst. of Tech.
所属学会 (4件):
IEEE
, 応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
, IEEE
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