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J-GLOBAL ID：200902297952174341   整理番号：04A0447896

歪んだSiMOSFETに関するクロスハッチ関連の酸化および性能に及ぼすその影響

Cross-Hatch Related Oxidation and Its Impact on Performance of Strained-Si MOSFETs

著者 (4件)： NISHISAKA M (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  HAMASAKI Y (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  SHIRATA O (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 4B  ページ： 1886-1890  発行年： 2004年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe/Si基板上の熱酸化した歪んだSi層の形態の変化を,...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： クロスハッチ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• 1) J. Welser, J. L. Hoyt and J. F. Gibbons: IEEE Electron Device Lett. 15 (1994) 100.
• 2) S. Takagi, T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka and A. Kurobe: IEICE Trans. Electron. E84-C (2001) 1043.
• 3) S. H. Olsen, A. G. O’Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, N. J. Woods, J. Zhang, K. Fobelets and H. A. Kemhadjian: Semicond. Sci. Technol. 17 (2002) 655.
• 4) J. Y. Yen and J. G. Hwu: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1834.
• 5) A. Sakai, K. Sugimoto, T. Yamamoto, M. Okada, H. Ikeda, Y. Yasuda, and S. Zaima: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3398.

タイトルに関連する用語 (2件)： ハッチ ,  酸化