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J-GLOBAL ID：200902226730138768   整理番号：03A0393041

浅くドープした広がり領域を有するSchottkyソース/ドレインSOI MOSFET

Schottky Source/Drain SOI MOSFET with Shallow Doped Extension

著者 (3件)： NISHISAKA M (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  MATSUMOTO S (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 4B  ページ： 2009-2013  発行年： 2003年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソースとドレインが深いSchottky接触と浅くドープした広...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (9件)：

• 1) J. R. Tucker, C. Wang and P. S. Carney: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 618.
• 2) M. Nishisaka and T. Asano: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1295.
• 3) A. Itoh, M. Saitoh and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 4757.
• 4) J. Kedzierski, P. Xuan, E. H. Anderson, J. Bokor, T.-J. King and C. Hu: IEEE Int. Electrons Device Meet. Tech. Dig. (2000) p. 57.
• 5) T. Asano, Y. Maeda, G. Nakagawa and Y. Arima: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2306.

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  広がり ,  ソース ,  ドレイン ,  SOI ,  MOSFET