研究者
J-GLOBAL ID:200901030696933116
更新日: 2020年08月28日
松下 浩一
マツシタ コウイチ | Matsushita Koichi
ホームページURL (1件):
http://ea3pch.yz.yamagata-u.ac.jp/member/matsu/matsuH956.htm
研究分野 (3件):
応用物理一般
, 電気電子材料工学
, 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件):
半導体表面 表面張力 接触角 ぬれ性 点字
論文 (35件):
Y.Kashiwaba, H.Kato, T.Kikuchi, I.Niikura, K.Matsushita, Y.Kashiwaba. Homoepitaxial growth of ZnO films on ZnO(112~0) substrates. Applied Surface Science. 2005. 244. 373-376
Y.Kashiwaba, K.Haga, H.Watanabe, B.P.Zhang, Y.Segawa, K.Matsushita. Properties of ZnO films prepared by MO-CVD under oxygen rich condition on sapphire substrate. physica status solidi (c) 1. 2004. 4. 912-915
Masami Nakano, Teruo Katou, Akira Satou, Kaoru Miyata, Kouichi Matsushita. Three-ports micro ER valve for ER suspension fabricated by photolithography. Journal of Intelligent Material Systems and Structures. 2002. 13. 7-8. 503-508
K.Matsushita, A.Fujisawa, N.Ando, H.Kobayashi, H.Naganuma, S.Okuyama, K.Okuyama. Characterization of Pure Water-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets. J.Electrochem.Soc. 2001. 148. 8. G401-G405
松下浩一, 門原拓也, 中山健, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎. 高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察. 電子情報通信学会論文誌,C. 2001. J84-C. .2. 136-143
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特許 (1件):
「マイクロ形状異方性素子」
書籍 (2件):
Properties of Indium Phosphide
An Inspec publication 1991
化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシー
博士論文 1986
学歴 (2件):
- 1978 東北大学 工学研究科 電子工学専攻
- 1976 東北大学 工学部 電子工学科
学位 (3件):
工学博士 (東北大学)
工学修士 (東北大学)
工学士 (東北大学)
経歴 (4件):
2001/04/01 - 現在 山形大学 電気電子工学科 教授
1992/12/01 - 2001/03/31 山形大学 工学部 電気電子工学科 助教授
1986/12/01 - 1992/11/30 山形大学 工学部 電気電子工学科 講師
1978/04/01 - 1986/11/30 東北大学 工学部 電子工学科 助手
委員歴 (2件):
2003/04 - 2005/03 電気学会 東北支部山形支所長
2002/04 - 2003/03 日本表面科学会 日本表面科学会東北支部長
所属学会 (3件):
次世代センサ協議会
, 電気学会
, 応用物理学会
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