小川真人

オガワマツト | Ogawa Matsuto

所属機関・部署：
職名：理事
ホームページURL (2件)： http://www2.kobe-u.ac.jp/~lerl2/j_research.html , http://www2.kobe-u.ac.jp/~lerl2/en_research.html

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (3件)：計算ナノエレクトロニクス , ナノデバイスデザイン , 半導体ナノエレクトロニクス

競争的資金等の研究課題 (3件)：

2013 - 2017 京コンピューターを用いたアトミスティック・デバイスシミュレータの開発
2016 - 地域イノベーション戦略支援プログラム(国際競争力強化地域)「関西ライフイノベーション戦略推進地域」
2012 - 2015 大規模原子論的計算に基づくナノ構造デバイスシミュレータの開発

論文 (101件)：

Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Junko Sato-Iwanaga, Masa-aki Suzuki. Transient performance analysis of graphene FET gated via ionic solid by numerical simulations based on tight-binding method and Nernst-Planck-Poisson equations. Journal of Applied Physics. 2021. 130. 8. 084302-084302
Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Junko Sato-Iwanaga, Masa-aki Suzuki. Transient simulation of graphene FET gated by electrolyte medium. 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). 2020
SOUMA Satofumi, AKIYAMA Takashi, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto. Time dependent quantum dynamical study of laser induced current switching in graphene. Proc. of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). 2017. 213-216
TADA Kento, FUNATANI Takashi, KONABE Satoru, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, YAMAMOTO Takahiro. Modulations of thermal properties of graphene by strain-induced phonon engineering. Jpn. J. Appl. Phys. 2017. 56. 2. 025102-25102
HIRAI Hideki, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi. Effect of strain on electron mobility in graphene. Proc. of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). 2017. 219-212

MISC (39件)：

相馬聡文, 田中未来, 市原圭祐, 迫田翔太郎, 笹岡健二, 小川真人. 歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション. 信学技報 IEICE Technical Report. 2015. SMD2015-89. 29-34
笹岡健二, 加藤司真, 相馬聡文, 小川真人. 28pPSA-72 時間依存ゲート電圧による散乱状態の過渡応答シミュレーション(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 1. 895-895
大森正規, 木場隼介, 前川容佑, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人. ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 296. 65-70
古林優希, 小川真人, 相馬聡文. 28pPSA-5 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析II(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 1. 777-777
古林優希, 小川真人, 相馬聡文. 20pPSA-7 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 2. 644-644

特許 (1件)：

量子ドット太陽電池

書籍 (3件)：

ナノエレクトロニクスの基礎
培風館 2007 ISBN:9784563067649
電子材料ハンドブック
朝倉書店, 応用物理学会編 2006
応用物理学用語大辞典
応用物理学会編オーム社 1998

講演・口頭発表等 (207件)：

二次元原子膜h-BCNにおける原子配置が光誘起電流に及ぼす影響と受光感度評価
(第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
グラフェン状物質h-BCNをチャネルとしたFETにおける電気伝導特性ばらつきの統計的解析
(第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
グラフェン/h-BCN超格子構造をチャネルに用いたFETの量子閉じ込めによる特性変化
(第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
グラフェン/h-BCN超格子構造の超格子ポテンシャルを用いた量子閉じ込めが光誘起電流に及ぼす影響
(第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
ナノスケールデバイスシミュレーションのための非平衡グリーン関数法と障壁高さモデルの比較検討
(第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)

学歴 (1件)：

- 1985 東京大学大学院工学系研究科電子工学専門課程博士課程修了

学位 (1件)：

工学博士 (東京大学)

委員歴 (5件)：

IEEE 関西支部幹事
IMFEDK 幹事
SISPAD 庶務
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会幹事
応用物理学会関西支部評議員

受賞 (7件)：

2016/12 - 電子情報通信学会電子情報通信学会シニアメンバー表彰 Pioneering Research on Quantum Mechanical Electronic and Phonotic Device Simulation
2011/09 - 応用物理学会応用物理学会フェロー表彰原子論的ナノデバイスシミュレーターに関する先駆的研究
2009/05 - IEEE Electron Devices Society The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices Best Paper Award "Influence of Edge Roughness on the Performance of Graphene Nano-Ribbon Devices"
2009/03 - IEEE Electron Devices Society IEEE Senior member Outstanding contribution to quantum simulation of nano-scaled devices
2008/07 - 半導体理工学研究センター(STARC) 第6回半導体理工学研究センター共同研究賞原子レベルの材料特性を考慮した 3次元量子輸送デバイスシミュレータの開発」の成果

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所属学会 (3件)：

応用物理学会 , 電子情報通信学会 , IEEE

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