研究者
J-GLOBAL ID:200901069548043237   更新日: 2024年07月19日

直井 弘之

ナオイ ヒロユキ | Naoi Hiroyuki
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (8件): ヘテロ構造 ,  新機能材料 ,  エピタキシャル成長 ,  半導体 ,  Heterostructure ,  New functional materials ,  Epitaxy ,  Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2012 - 2015 窒化物半導体の変調エピタキシャル成長と深紫外発光制御
  • 2009 - 2011 アンモニア触媒分解式ハイドライド気相成長法を用いた窒化アルミニウムの高速成長
  • 2006 - 2010 RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成
  • 2006 - 2008 InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究
  • 2007 - InN関連混晶半導体のバンドギャップエネルギーに関する研究
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論文 (36件):
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MISC (45件):
特許 (7件):
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
  • 気相成長装置及び気相成長方法
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
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講演・口頭発表等 (189件):
  • BxGayIn1-x-yAs1-y四元混晶のバンドギャップエネルギーと遷移型
    (令和5年度電気学会関西支部高専卒業研究発表会 2024)
  • 硫化法によるCu2ZnSn(S, Se)4薄膜へのKF添加の効果
    (令和5年電気関係学会関西連合大会(G6-2) 2023)
  • Bandgap Energies of Cubic AlxIn1-xNySb1-y Calculated by Means of the dielectric Method
    (2021 MRS Fall Meeting & Exhibits (EQ13.16.07) 2021)
  • 硫化法によるCZTSSe薄膜太陽電池における硫化開始温度の検討
    (令和3年電気関係学会関西連合大会(G6-2) 2021)
  • 高温硫化を用いた3S法によるCZTSSe薄膜太陽電池の作製
    (日本学術振興会第175委員会第17回次世代の太陽光発電システムシンポジウム(PD-16))
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学歴 (6件):
  • - 2001 徳島大学 工学研究科 物質工学専攻
  • - 2001 徳島大学
  • - 1995 徳島大学 工学研究科 電気電子工学専攻
  • - 1995 徳島大学
  • - 1993 徳島大学 工学部 電気電子工学科
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学位 (1件):
  • 博士(工学) (徳島大学)
所属学会 (7件):
Materials Research Society ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  Materials Research Society ,  Information and Communication Engineers ,  The Institute of Electronics ,  The Japan Society of Applied Physics
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