研究者
J-GLOBAL ID：200901078045305098   更新日: 2024年01月17日

横田 勝弘

ヨコタ カツヒロ | Yokota Katsuhiro
所属機関・部署：
旧所属 関西大学 システム理工学部 電気電子情報工学科

旧所属 関西大学 システム理工学部 電気電子情報工学科 について


ホームページURL (1件)： http://semicon.densi.kansai-u.ac.jp
研究キーワード (13件)： 薄膜堆積 ,  極低抵抗率 ,  薄膜堆積 イオンビーム支援法 ,  低・高誘電率 ,  イオン注入 イオンビーム支援法 ,  不純物 ,  半導体 ,  thin films ,  thin films low-resistivity ,  ion-beam assist deposition ,  element and compound semiconductors low- and high-k ,  impurity ,  Ion-implantation
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 2002 - 2008 チタン酸バリウムの薄膜化による誘電率劣化の抑制の研究
  • 2002 - 2008 Improvement of dielectric constants on thin BaTiO3 films
  • 低密度・低誘電率薄膜の研究
  • 低誘電率DLC膜の研究
  • ガリウムひ素への不純物の拡散と電気的活性化の水素プラズマ照射による制御
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MISC (36件)：
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特許 (5件)：
  • 薄膜の硬度測定
  • 水素と酸素を付加00することによるセラミックス超伝導特性の改善
  • 薄膜コンデンサー
  • 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  • 窒化チタン薄膜形成方法及び該当方法に従って形成した窒化チタン薄膜
書籍 (1件)：
  • 新世代工学シリーズ、半導体デバイス工学(オーム社)
Works (9件)：
  • 半導体中の微量不純物分布に関する研究
    1990 - 2002
  • Redistribution of implanted impurities in semiconductors during annealing
    1990 - 2002
  • 半導体中への微量不純物添加における水素の存在に関する研究
    1990 - 2001
  • Chemical interaction between implanted impurities and hydrogen in silicon during annealing
    1990 - 2001
  • 半導体中への微量不純物添加技術に関する研究
    1990 - 2000
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学位 (2件)：
  • 工学修士
  • 工学博士
経歴 (8件)：
  • 関西大学/教授
  • 関西大学/助教授
  • 関西大学/専任講師
  • 関西大学/助手
  • Kansai University/professor
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所属学会 (11件)：
日本材料学会 ,  Electrochemical Society ,  American Vacuum Society ,  American Physical Society ,  電子通信情報学会 ,  物理学会 ,  応用物理学会 ,  Japan material Society ,  Japan Electron Communication Information Society ,  Japan Physical Society ,  Japan Society of Applied physics
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