研究者

J-GLOBAL ID：200901091928902122 更新日: 2020年08月25日

正木進

マサキススム | Masaki Susumu

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (2件)：イオン工学 , Ion Beam Engineering

競争的資金等の研究課題 (2件)：

イオンビームの電子材料加工への応用研究
Application of Ion Beam Technique.

MISC (56件)：

T Ichinohe, S Masaki, K Uchida, S Nozaki, H Morisaki. Fabrication of nanostructured palladium-doped SiO2 films with variable temperature coefficient of resistivity. THIN SOLID FILMS. 2004. 466. 1-2. 27-33
円筒型マグネトロンガスフロースパッタ源を用いた窒化炭素薄膜の光学的特性(共著). 電気化学会第68回学術大会シンポジウム「粒子線を用いた次世代プロセス技術」論文集. 2001. 75-80
Optical properties of CN_x thin films by Cylindrical Magnetron Gas Flow sputtering Saurce. 2001. 75-80
円筒型マグネトロンガスフロースパッタリング源を用いたCN_x薄膜の形成-フローゲス種による光学的特性変化-(共著). 第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム. 2000. 69-72
Si doped glass light emitter within on optical cavity fabricated by ion beam sputter-deposition (共著). Thin Solid Films. 2000. 377/378. 87-91

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学歴 (2件)：

- 1968 東京電機大学工学部電子工学科
- 1968 東京電機大学

学位 (1件)：

博士(工学) (東京電機大学)

所属学会 (5件)：

電気化学会 , イオン工学会 , アメリカ真空学会(American Vacuum Society) , 日本真空協会 , 応用物理学会

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