研究者
J-GLOBAL ID：201101081522788615   更新日: 2024年01月30日

梶川 靖友

カジカワ ヤストモ | Kajikawa Yasutomo
所属機関・部署：
島根大学 総合理工学部 物理・マテリアル工学科 物理・マテリアル工学科

島根大学 総合理工学部 物理・マテリアル工学科 物理・マテリアル工学科 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www.ecs.shimane-u.ac.jp/~kajikawa/
研究分野 (1件)： 電気電子材料工学
研究キーワード (1件)： 半導体工学
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2005 - 2006 環境関連ガス検出用としての赤外線半導体レーザ材料の開発
  • 1998 - 2000 新III-V族混晶を用いたガリウム砒素基板上長波半導体レーザ
  • Spectroscopic Study on Deep Levels in III-V Compound Semiconductors
  • Study on Optical Properties of Semiconductor Quantum Structures
  • Study on Epitaxial Growth of Semiconductors
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論文 (3件)：
MISC (74件)：
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特許 (3件)：
書籍 (2件)：
  • 結晶工学スクールテキスト(第7版)結晶工学の基礎
    応用物理学会 2004
  • Suppression of degradation in crystalline quality of InGaAs/(Al)GaAs strained quantum-well structures by increasing the barrier thickeness(joitnly worked)
    Institute of Physics Conference Series No. 145, Institute of Physics Publishing 1996
講演・口頭発表等 (58件)：
  • Ge(111)微傾斜基板上へのGaSbのMBE成長におけるBiサーファクタントの効果
    (第1回結晶工学xISYSE 合同研究会 2018)
  • n形GaAsにおける不純物伝導のハバードバンドモデルによる解析
    (2018年春季応用物理学会 2018)
  • M. Nishigaichi, S. Tenma, K. Kato, S. Katsube, Y. Kajikawa
    (The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017) 2017)
  • p型InPおよびGaN中の最近接ホッピング伝導に対するホール因子
    (2016年春季応用物理学会 2016)
  • MnドープGaAs中のの最近接ホッピング伝導に対するホール因子
    (2016年春季応用物理学会 2016)
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学歴 (2件)：
  • - 1981 東京大学 工学系研究科 物理工学
  • - 1979 東京大学 工学部 物理工学
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (9件)：
  • 1997 - 2006 教授2006年~助教授1997年~2006年北海道大学客員助教授三菱電機株式会社光技術研究開発株式会社
  • 1996 - 1997 北海道大学
  • 1994 - 1997 Mitsubishi Electric Corp., Optoelectronic
  • 1988 - 1994 Optoelectronics Technology Research Corp.,
  • 1981 - 1988 Mitsubishi Electric Corp., LSI Laboratory, Researcher
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委員歴 (1件)：
  • 2005 - 2018 応用物理学会 中国四国支部幹事
所属学会 (2件)：
日本物理学会 ,  応用物理学会
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