特許
J-GLOBAL ID：201703005894790261
Ge(111)面上へのGaAs層形成方法およびタンデム型太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田邊 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-160910
公開番号（公開出願番号）：特開2017-041487
出願日： 2015年08月18日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
要約：
【課題】Ge面上に、回転双晶の発生を抑制してGaAsをエピタキシャル成長させて層構造を得る方法を提供する。【解決手段】タンデム型太陽電池において、n形Ge12、p形Ge13、p+形Ge14を有したGe層形成において、Ge層の(111)面上に、GaSbの緩衝層21をエピタキシャル成長させた後、n+形GaAs31、n形GaAs32、p形GaAs33、p+形GaAs34を有したGaAs層をエピタキシャル成長させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Ge(111)面上に、GaSbをエピタキシャル成長させた後、GaAsをエピタキシャル成長させることを特徴とする層構造形成方法。
IPC (3件)：
H01L 31/068
, H01L 31/036
, H01L 31/021
H01L31/06 310
, H01L31/04 346
, H01L31/04 240
5F151AA02
, 5F151AA08
, 5F151CB08
, 5F151DA03
, 5F151DA18
, 5F151GA03
