Ge(111)面上へのGaAs層形成方法およびタンデム型太陽電池

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田邊義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-160910
公開番号（公開出願番号）：特開2017-041487
出願日： 2015年08月18日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
要約：

【課題】Ge面上に、回転双晶の発生を抑制してGaAsをエピタキシャル成長させて層構造を得る方法を提供する。【解決手段】タンデム型太陽電池において、n形Ge12、p形Ge13、p+形Ge14を有したGe層形成において、Ge層の(111)面上に、GaSbの緩衝層21をエピタキシャル成長させた後、n+形GaAs31、n形GaAs32、p形GaAs33、p+形GaAs34を有したGaAs層をエピタキシャル成長させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Ge(111)面上に、GaSbをエピタキシャル成長させた後、GaAsをエピタキシャル成長させることを特徴とする層構造形成方法。

IPC (3件)：

H01L 31/068 , H01L 31/036 , H01L 31/021

FI (3件)：

H01L31/06 310 , H01L31/04 346 , H01L31/04 240

Fターム (6件)：

5F151AA02 , 5F151AA08 , 5F151CB08 , 5F151DA03 , 5F151DA18 , 5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

タンデム型太陽電池およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-238885 出願人：トヨタ自動車株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-288652 出願人：国立大学法人筑波大学

引用文献：

審査官引用 (4件)

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