研究者
J-GLOBAL ID：201801017992652428   更新日: 2022年07月23日

進藤 怜史

シンドウ サトシ | Shindo Satoshi
所属機関・部署：
長岡技術科学大学

長岡技術科学大学 について


職名： 助教
研究分野 (1件)： 電気電子材料工学
研究キーワード (3件)： ショットキー障壁 ,  相変化メモリ ,  半導体工学
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 2017 - 2018 次世代超微細相変化メモリのコンタクト抵抗に関する研究
  • 2017 - 2018 次世代超微細相変化メモリのコンタクト抵抗に関する研究
論文 (18件)：
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講演・口頭発表等 (36件)：
  • Inverse resistance switching behavior of Cr2Ge2Te6 - based PCRAM
    (Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS) 2017 2017)
  • Interfacial properties of Electrodes/GeCu2Te3 phase change material
    (Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS) 2017 2017)
  • Effects of Nitrogen doping on the properties of Cr-Ge-Te ternary compound film
    (Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS) 2017 2017)
  • Phase Change Behavior of N-doped Cr-Ge-Te Film
    (The European Symposium on Phase Change and Ovonic Science (E/PCOS2017) 2017)
  • Inverse resistance switching behavior of Cr2Ge2Te6 - based PCRAM
    (The European Symposium on Phase Change and Ovonic Science (E/PCOS2017) 2017)
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学歴 (2件)：
  • 2015 - 2018 東北大学 工学研究科 知能デバイス材料学専攻
  • 2011 - 2013 秋田工業高等専門学校 工学部 専攻科 生産システム工学専攻
学位 (2件)：
  • 修士(工学) (東北大学)
  • 博士(工学) (東北大学)
受賞 (2件)：
  • 2016/09/23 - 金属学会 優秀ポスター賞 W電極/GeCu2Te3相変化材料間のコンタクト抵抗
  • 2013/09/29 - 相変化研究会 ポスター賞 Feasibility study of Ge2Sb2Te5/GeCu2Te3 memory cell with multi-level resistance
所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  金属学会
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