荒岡瑞恵

イシカワミズエ | Araoka Mizue

所属機関・部署：
職名：専任講師

研究分野 (4件)：無機材料、物性 , 応用物理一般 , 電気電子材料工学 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (4件)： SiスピンMOSFET , ホイスラー , Siスピン , スピントロニクス

競争的資金等の研究課題 (5件)：

2024 - 2027 シリコンスピン電界効果トランジスタの高性能化を実現する低界面粗さ構造の創製
2024 - 2025 高感度かつ高分解能なスピン信号測定による半導体中でのスピン伝導メカニズムの解明
2021 - 2024 SiスピンMOSFETの実現を可能とする低界面抵抗構造の創製
2023 - 2024 放射線下で動作する電子部品SiスピンMOSFETの試作開発
2019 - 2021 界面制御技術による高性能SiスピンMOSFETの創製

論文 (70件)：

M. Ishikawa, Y. Saito, K. Hamaya. Study of spin transport and magnetoresistance effect in silicon-based lateral spin devices for spin-mosfet applications. Journal of the Magnetics Society of Japan. 2020. 44. 3. 56-63
Siスピントロニクス素子におけるスピン緩和機構と高効率スピン注入・検出に関する研究. 大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻博士課程学位論文. 2019
A. Tiwari, H. Yoda, Y. Kato, K. Koi, M. Ishikawa, S. Oikawa, Y. Saito, T. Inokuchi, N. Shimomura, M. Shimizu, et al. Reliable Estimation of TaB Spin Hall Angle by Incorporating the Interfacial Transparency and Isolating Inverse Spin Hall Effect in ST-FMR Analysis. IEEE International magnetic conference 2018 (Intermag 2018). 2018. ED-07
M. Ishikawa, M. Tsukahara, M. Yamada, Y. Saito, K. Hamaya. Local magnetoresistance at room temperature in Si<100> devices. IEEE Trans. Magn. 2018. 54. 1-4
Y. Kato, H. Yoda, Y. Saito, S. Oikawa, K. Fujii, M. Yoshiki, K. Koi, H. Sugiyama, M. Ishikawa, T. Inokuchi, et al. Giant voltage-controlled magnetic anisotropy effect in a crystallographically strained CoFe system. Appl. Phys. Express. 2018. 11. 053007

MISC (7件)：

石川瑞恵, 浜屋宏平. n⁺-Siスピン伝導チャネルにおけるスピン緩和について. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
アルタンサルガイブヤンダライ, 與田博明, 井口智明, 大沢裕一, 下村尚治, 白鳥聡志, 杉山英行, 加藤侑志, 上口裕三, 清水真理子, et al. 電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM) (磁気記録・情報ストレージ). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 118. 37-40
與田博明, 下村尚治, 大沢裕一, 白鳥聡志, 加藤侑志, 井口智明, 上口裕三, アルタンサガイブヤンダライ, 斉藤好昭, 鴻井克彦, et al. 依頼講演超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (集積回路). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 9. 1-4
與田博明, 下村尚治, 大沢裕一, 白鳥聡志, 加藤侑志, 井口智明, 上口裕三, アルタンサガイブヤンダライ, 斉藤好昭, 鴻井克彦, et al. 招待講演超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 448. 25-28
石川瑞恵, 石川瑞恵, 塚原誠人, 藤田裕一, 山田晋也, 杉山英行, 斉藤好昭, 浜屋宏平. Si〈100〉スピン伝導素子のスピン信号強度増大. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th

特許 (71件)：

磁気記憶装置
磁場センサ
磁気メモリ
磁気メモリ
Spin transistor memory

講演・口頭発表等 (55件)：

SiスピンMOSFETの実現に向けた高規則度ホイスラー合金の作製
(令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」 2024)
スピン信号測定器の立上げ
(令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」 2024)
SiスピンMOSFETの実現に向けた高濃度p型Si層の作製
(令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」 2024)
SiスピンMOSFETの作製のためのマスク重ね合わせ条件出し
(令和 6 年東北地区若手研究者研究発表会「音・光・電波・エネルギー・システム・材料とその応用」 2024)
半導体スピン素子のための高濃度p型Si層の作製
(第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)

学歴 (3件)：

2016 - 2019 大阪大学基礎工学研究科システム創成専攻
2004 - 2006 大阪大学基礎工学研究科物質創成専攻
2000 - 2004 日本大学理工学部物理学科

学位 (1件)：

博士(工学) (大阪大学)

経歴 (2件)：

2019/04/01 - 日本大学工学部電気電子工学科専任講師
2006/04/01 - 2018/07/31 株式会社東芝研究開発センター

受賞 (1件)：

2020/07 - 福島テックプラングランプリ最優秀賞・クレハ賞・NEST iPLAB賞

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