研究者
J-GLOBAL ID：202301009422787017   更新日: 2024年04月30日

山口 浩一

ヤマグチ コウイチ | YAMAGUCHI KOUICHI
所属機関・部署：
電気通信大学 大学院情報理工学研究科、情報理工学域基盤理工学専攻、III類(理工系)

電気通信大学 大学院情報理工学研究科、情報理工学域基盤理工学専攻、III類(理工系) について


職名： 教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
  • 電気通信大学      副学長
ホームページURL (1件)： http://www.crystal.ee.uec.ac.jp/
研究分野 (3件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  ナノ材料科学
研究キーワード (28件)： nanotechnology ,  spin ,  selective growth ,  crystal growth ,  surface and interface physics ,  scanning probe microscopy ,  semiconductor devices ,  compound semiconductor ,  epitaxial growth ,  molecular beam epitaxy ,  quantum dot ,  quantum wire ,  quantum well ,  quantum nanostructure ,  ナノテクノロジー ,  スピン ,  選択成長 ,  結晶成長 ,  表面界面物性 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  半導体デバイス ,  化合物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  分子線エピタキシー ,  量子ドット ,  量子細線 ,  量子井戸 ,  量子ナノ構造
競争的資金等の研究課題 (35件)：
  • 2022 - 2025 III-V族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用
  • 2017 - 2020 ナノ液滴成長法によるSiO2/Si基板上へのInGaN量子ドットの自己形成
  • 2015 - 2020 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 革新的新構造太陽電池の開発 超高効率・低コストIIIーV化合物太陽光電池モジュールの研究開発(高密度量子ドット成長技術)
  • 2008 - 2015 ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(自己組織化量子ドット)
  • 2011 - 2012 高密度・高均一量子ドットの作製技術を用いた次世代量子ドットレーザーの試作開発
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論文 (176件)：
  • Yuji Nakazato, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi. Resonant tunneling injection of electrons through double stacked GaAs/InAs quantum dots with nanohole electrode. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 112005-1-112005-6
  • R. Nakagawa, R. Watanabe, N. Miyashita and K. Yamaguchi. High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates. J. Appl. Phys. 2023. 134. 15. pp.154302 1-7
  • S. Tatsugi, N. Miyashita, T. Sogabe, K. Yamaguchi. Demonstration of In-Plane Miniband Formation in InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum Dots by Analysis of Temperature Dependence of Photoluminescence. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. 102009-1-102009-7
  • K. Uno, N. Iijima, N. Miyashita, K. Yamaguchi. Self-Formation of InAs/InGaAsSb type-II Superlattice Structures on InP Substrates by MBE and Their Application to Mid-Infrared LEDs. AIP Advances. 2022. 12. 085301-1-085301-6
  • K. Shiba, R. Sugiyama, K. Yamaguchi, T. Sogabe. Quantum Dot Phase Transition Simulation with Hybrid Quantum Annealing via Metropolis-Adjusted Stochastic Gradient Langevin Dynamics. Advances in Cond. Mat. Phys. 2022. Art. ID 9711407. 1-11
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MISC (13件)：
  • 山口浩一. 量子ドットの光・電子デバイスへの応用・可能性. 技術情報協会セミナー「量子ドットの設計,カドミニウムフリー化,応用,今後の展望」. 2024. 1-41
  • 山口 浩一. 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用. 金属 (アグネ技術センター). 2020. 90. 10. 43-47
  • 山口浩一. 量子ドットの基礎知識と結晶成長およびデバイス応用. R&D支援センター・セミナー資料. 2018. pp.1.-pp.73.
  • 山口浩一. 量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発. 「クリーンテック・水素社会への挑戦」講演集. 2016. 5-16
  • 山口 浩一. 光デバイス応用に向けたIII-V族半導体量子ドットの結晶技術の進展. OPTRONICS. 2014. 394. 2014年10月. 79-84
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特許 (7件)：
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書籍 (12件)：
  • 半導体光デバイス
    (株)コロナ社 2020
  • Molecular Beam Epitaxy
    Wiley 2019
  • ユニーク&エキサイティング サイエンスIII
    近代科学社 2014
  • Handbook of Nano-Optics and Nanophotonics
    Springer 2013
  • 量子ドット太陽電池の最前線(豊田太郎 監修)
    シーエムシー出版 2012
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講演・口頭発表等 (335件)：
  • Anomalous Photoluminescence Properties due to Strong Coupling of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Si(111)基板上への高密度InAsSb/InAsコアシェルナノワイヤーの成長
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband
    (Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023) 2023)
  • High-Density InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates by MBE
    (Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023) 2023)
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学歴 (4件)：
  • 1993 - 博士(工学) (東京大学)
  • - 1986 電気通信大学 電気通信学研究科 通信工学専攻
  • - 1984 電気通信大学 電気通信学部 通信工学科
  • 1977 - 1982 国立佐世保工業高等専門学校 電気工学科
学位 (2件)：
  • 工学修士 (電気通信大学)
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (10件)：
  • 2010/04 - 現在 電気通信大学 大学院情報理工学研究科 教授
  • 2022/04 - 2024/03 電気通信大学 副学長(学生・生涯キャリア支援担当)
  • 2020/04 - 2022/03 電気通信大学 副学長(学生支援担当)
  • 2018/04 - 2020/03 電気通信大学 教育研究技師部長
  • 2013/04 - 2014/03 電気通信大学 大学院情報理工学研究科、情報理工学部 先進理工学専攻、先進理工学科 学科長
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委員歴 (11件)：
  • 2017/04 - 2018/03 社)電子情報技術産業協会 電子材料・デバイス技術専門委員会委員
  • 2016/10 - 2017/03/31 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 研究プロジェクト事後評価委員
  • 2015/04/01 - 2017/03/31 社)電子情報技術産業協会 量子現象利用デバイス技術分科会委員長
  • 2015/04/01 - 2017/03/31 社)電子情報技術産業協会 電子材料・デバイス技術専門委員会委員
  • 2013/04 - 2015/03/31 社)電子情報技術産業協会 量子ドット利用デバイス技術分科会 委員長
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受賞 (3件)：
  • 2017/01 - Elsevier Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier)
  • 2016/01 - Elsevier Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier)
  • 1991/06 - 安藤博記念財団 安藤博記念学術奨励賞 クロライド系有機金属による化合物半導体の選択成長に関する研究
所属学会 (3件)：
応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  日本結晶成長学会
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