特許
J-GLOBAL ID：200903056930297616

量子ドットの形成方法

発明者：
山口 浩一

山口 浩一 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 電気通信大学

国立大学法人 電気通信大学 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262638
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080293
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 高密度かつ高均一な量子ドットの自己形成を実現する。【解決手段】 GaAs基板上に、GaAsバッファ層を形成し、GaAsバッファ層上に、GaSbxAs1-x(0<x≦1)層を導入し、GaSbxAs1-x(0<x≦1)層上に、InAs量子ドットを自己形成する。たとえば、アンチモン(Sb)の組成xをx=1にして、0.24〜1.52ML厚のGaSb層を導入する場合は、GaSb層上にInAs量子ドットを、1.1×1011cm-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、GaAsバッファ層を形成し、 前記GaAsバッファ層上に、GaSbxAs1-x(0<x≦1)層を形成し、 前記GaSbxAs1-x(0<x≦1)層上に、InAs量子ドットを自己形成する ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/06 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L29/06 601D ,  H01L21/203 M ,  H01S5/343
Fターム (17件)：
5F103AA04 ,  5F103DD03 ,  5F103DD30 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN03 ,  5F103RR06 ,  5F173AA16 ,  5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ14 ,  5F173AR04
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体量子ドット及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-097569   出願人：富士通株式会社
  • 量子ドットの形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-175914   出願人：日本電気株式会社, 株式会社日立製作所, 技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-238756   出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (4件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-238756   出願人：株式会社東芝
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-336787   出願人：ソニー株式会社
  • 量子箱メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-143213   出願人：ソニー株式会社
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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