特許
J-GLOBAL ID：201303014735801618

量子ドットの形成方法および太陽電池

発明者：
山口 浩一

山口 浩一 について


出願人/特許権者：
国立大学法人電気通信大学

国立大学法人電気通信大学 について


代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-034949
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211535
出願日： 2013年02月25日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：
【課題】量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。【解決手段】GaAsバッファ層12上にInAs層を成長する際に、前記InAs層の成長が3次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン(Sb)を供給圧力2.0×19-7〜3.6×19-7 Torrで導入してInAsSb濡れ層13を成長し、InAsSb濡れ層13が0.5ML〜1.5ML成長したところで前記Sbの導入を停止して引き続きInAs層を成長してInAs量子ドット14を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaAsバッファ層上にInAs層を成長する際に、前記InAs層の成長が3次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン(Sb)を供給圧力2.0×10-7〜3.6×10-7 Torrで導入してInAsSb濡れ層を成長し、 前記InAsSb濡れ層が0.5ML〜1.5ML成長したところで前記Sbの導入を停止して引き続きInAs層を成長してInAs量子ドットを形成する、 ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (7件)：
5F151AA08 ,  5F151CB11 ,  5F151CB14 ,  5F151DA13 ,  5F151DA17 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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