研究者
J-GLOBAL ID:200901008364965671   更新日: 2024年03月15日

山内 智

ヤマウチ サトシ | YAMAUCHI Satoshi
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (4件): 電子デバイス、電子機器 ,  半導体、光物性、原子物理 ,  機能物性化学 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (2件): 銅薄膜の気相選択形成 ,  プラズマプロセス、ヘテロエピタキシャル成長、酸化亜鉛薄膜、酸化チタン薄膜、発光デバイス、光触媒、超親水性
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2023 - 2025 選択金属成膜法を用いた自己整合配線形成技術
  • 2022 - 2025 ヨウ化物を原料とするCVD法による金属薄膜の選択成長
  • 2020 - 2023 自己解離型化学気相法による金属層の選択形成
  • 2017 - 2020 CuIを原料とするCuの選択形成
  • 2012 - 2015 糖結晶THzエミッターの開発
全件表示
論文 (64件):
  • Gento Toyoda, Hikari Kikuchi, Satoshi Yamauchi, Tatsuya Joutsuka, Takashi Fuse, Yusuke Kubota. Study of Cu-growth feature by selective low-pressure chemical vapor deposition using a CuI precursor. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. SH1002. 1-5
  • Tomohiro Shirai, Satoshi Yamauchi, Hikari Kikuchi, Hiroki Fukumoto, Hiroto Tsukada, Tomohiro Agou. Synthesis, characterization, and formation of self-assembled monolayers of a phosphonic acid bearing a vinylene-bridged fluoroalkyl chain. Applied Surface Science. 2022. 577. 151959-1-151959-7
  • T. Joutsuka, H. Yoshinari, S. Yamauchi. Facet Dependence of Photocatalytic Activity in Anatase TiO2: Combined Experimental and DFT Study. Bulletin of the Chemical Society of Japan. 2021. 94. 1. 106-111
  • Taiji Nishikawa, Kensuke Horiuchi, Tatsuya Joutsuka, Satoshi Yamauchi. Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru using CuI as precursor. Journal of Crystal Growth. 2020. 549. 125849-1-6
  • Tatsuya Joutsuka, Satoshi Yamauchi. Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru substrate using CuI: Ab initio calculations. Chemical Physics Letters. 2020. 741. 137108-1-5
もっと見る
MISC (20件):
もっと見る
特許 (8件):
もっと見る
書籍 (2件):
  • プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例
    サイエンス&テクノロジー 2018 ISBN:9784864281706
  • ディスプレイ・光学部材における薄膜製造技術
    情報機構 2007 ISBN:9784901677837
講演・口頭発表等 (41件):
  • Selective chemical vapor deposition of Cu using CuI on fine-structure
    (2023)
  • Selective chemical vapor deposition of Cu using CuI-precursor for fine structured Metallization
    (E-MRS Fall-Meeting 2023 2023)
  • 二段階成長による選択LPCVD-Cuの成長形態の制御
    (第30回電気学会茨城支所研究発表会 2022)
  • 金属ハライドを原料とする金属層の気相選択形成
    (ハロゲン利用ミニシンポジウム 2022)
  • A study of Cu-growth feature by selective-LPCVD using CuI-precursor
    (2022)
もっと見る
学歴 (1件):
  • - 1991 東北大学 工学研究科 電子工学
学位 (1件):
  • 工学博士 (東北大学)
経歴 (2件):
  • 1997/04 - 茨城大学工学部
  • 1991/04 - 1997/03 沖電気工業株式会社
受賞 (1件):
  • 1989 - Materials Research Society Graduate Student Awards
所属学会 (5件):
材料技術研究協会 ,  The Institute of Electrical and Electronics Engineers,(IEEE) ,  日本応用物理学会 ,  The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) ,  Materials Research Society (MRS)
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る