研究者
J-GLOBAL ID:200901017152180614   更新日: 2024年12月16日

平本 俊郎

ヒラモト トシロウ | Hiramoto Toshiro
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www.vlsi.iis.u-tokyo.ac.jp/index-j.html
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (29件): ナノエレクトロニクス ,  ナノテクノロジー ,  ナノデバイス ,  量子ドット ,  単電子トランジスタ ,  単一電子デバイス ,  量子効果 ,  SOI ,  低消費電力 ,  CMOS ,  MOSFET ,  集積回路 ,  VLSI ,  シリコン ,  半導体 ,  Nanodevices ,  Nanoelectronics ,  Nanotechnology ,  Quantum dot ,  Single electron transistor ,  Single electron devices ,  Quantum effect ,  Low power ,  SOI ,  CMOS ,  MOSFET ,  VLSI ,  Silicon ,  Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (40件):
  • 2022 - 2026 スピン量子性に基づくデバイス指紋(量子指紋)の生成と抽出
  • 2019 - 2023 三次元集積化に向けたスケーラブルな積層構造シリコン量子ビットに関する研究
  • 2014 - 2020 新世代Si-IGBTと応用基本技術の研究開発
  • 2018 - 2019 マルチモーダルな超低消費電力エッジシステムに向けたAIコンピューティング技術の研究開発
  • 2017 - 2019 電源電圧0.1V動作に向けたトランジスタの特性ばらつきの自己収束機構に関する研究
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論文 (328件):
  • Zihao Liu, Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Hiroshi Oka, Takahiro Mori, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto. Cryogenic threshold voltage and on-current variability comparative analysis of same-fab 65 nm bulk and fully depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Xingyu Huang, Kaito Hikake, Sung-Hun Kim, Kota Sakai, Zhuo Li, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, et al. High-Field Transport and Statistical Variability of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs With Channel Length Scaling. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024
  • Xiang Zhou, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Wataru Saito, Toshiro Hiramoto. Robust reverse bias safe operating area and improved electrical performance in 3300 V non-proportionally scaled insulated gate bipolar transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Hirotaka Yamada, Satoru Furue, Takehiko Yokomori, Yuki Itoya, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi. Energy-Efficient Annealing Process of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Capacitor Using Ultraviolet-LED for Green Manufacturing. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2024
  • Xiang Zhou, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto. Superior Turn-Off dV/dt Controllability From Suppression of Dynamic Avalanche in 3300V Scaled IGBTs. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2024
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MISC (323件):
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特許 (8件):
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学歴 (2件):
  • 1984 - 1989 東京大学 工学系研究科 電子工学専攻
  • 1982 - 1984 東京大学 工学部 電子工学科
学位 (1件):
  • 工学博士 (東京大学)
経歴 (5件):
  • 1996 - 2002 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター助教授
  • 2002 - - 東京大学生産技術研究所教授
  • 1994 - 1996 東京大学生産技術研究所助教授
  • 1993 - 1994 スタンフォード大学客員研究員
  • 1989 - 1994 (株)日立製作所デバイス開発センタ勤務
委員歴 (15件):
  • 2024/06 - 現在 VLSI Symposium on Technology Executive Committee Chair
  • 2012/04 - 現在 IEC TC91国内委員会 委員長
  • 1999 - 現在 電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会 委員
  • 2025 - SSDM 組織委員長
  • 2022/03 - 2024/03 応用物理学会 会長
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受賞 (7件):
  • 2018/07 - IEEE Nanotechnology Council 2017 IEEE Best Paper Award for the IEEE Transactions on Nanotechnology Negative Capacitance for Boosting Tunnel FET Performance
  • 2016/10 - ICSICT 30-Year Anniversary Contribution Award
  • 2015/03 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 論文賞 3-D Silicon-on-Insulator Integrated Circuits With NFET and PFET on Separate Layers Using Au/SiO2 Hybrid Bonding
  • 2014/06 - 映像情報メディア学会 藤尾フロンティア賞 画素並列信号処理3次元構造撮像デバイスの研究
  • 2009/09 - 電子情報通信学会 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞
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所属学会 (3件):
IEEE Electron Device Society ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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