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J-GLOBAL ID：202102269837176209   整理番号：21A0361848

Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション-物理モデルの検討と実測結果との比較-

Three-Dimensional Device Simulation of Si IGBTs-Investigation of physical models and comparisons with measurements-

著者 (21件)： 執行直之 (東京工大) ,  渡辺正裕 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  古川和由 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  佐藤克己 (三菱電機) ,  末代知子 (東芝デバイス&ストレージ) ,  更屋拓哉 (東大 生産技研) ,  高倉俊彦 (東大 生産技研) ,  伊藤一夫 (東大 生産技研) ,  福井宗利 (東大 生産技研) ,  鈴木慎一 (東大 生産技研) ,  竹内潔 (東大 生産技研) ,  宗田伊里也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  西澤伸一 (九大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  平本俊郎 (東大 生産技研) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 120  号： 239(SDM2020 22-34)  ページ： 36-40 (WEB ONLY)  発行年： 2020年11月12日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： デバイス・シミュレーションは,Si IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors)のデバイス設計に有用である.今回,キャリア・キャリア散乱などの物理モデルの影響を検討した.また,トレンチ・ゲートIGBTの電流電圧特性を用いて実測結果との比較を行い,3次元/2次元デバイス・シミュレーションの違いを明らかにした.さらに,エミッタ電流を電子と正孔成分に分離して実測結果と比較し,これが物理モデル(ライフタイム)のキャリブレーションに有効であることを示した.(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *IGBT ,  *計算機シミュレーション ,  モデル ,  *キャリア散乱 ,  計測 ,  設計 ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  キャリア寿命 ,  キャリブレーション ,  電流 ,  電子 ,  正孔
準シソーラス用語： 3次元デバイスシミュレーション ,  物理モデル ,  *キャリア-キャリア散乱 ,  実測 ,  デバイス設計 ,  トレンチゲート ,  エミッタ電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• J. D. Plummer, “Monolithic semiconductor switching device,” U.S. Patent 4199774, Apr. 22, 1980.
• H. W. Becke and C. F. Wheatley, Jr., “Power MOSFET with an anode region,” U.S. Patent 4364073, Dec. 14, 1982.
• A. Nakagawa et al., “Non-luchup 1200 V 75 A bipolar mode ASO,” Tech. Dig. IEDM 1984, pp. 860-861.
• M. Kitagawa et al., “A 4500 V injection enhanced insulated gate bipolar transistor (IEGT) operating in a mode similar to a thyristor,” Tech. Dig. IEDM 1993, pp. 679-682.
• N. Iwamuro and T. Laska, “IGBT history, state-of-the-art, and future prospects,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol.64, pp. 741-752, 2017.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  IGBT ,  3次元 ,  シミュレーション ,  物理モデル ,  実測結果