研究者
J-GLOBAL ID:200901018857475180
更新日: 2022年08月21日
竹内 隆
タケウチ タカシ | Takeuchi Takashi
所属機関・部署:
旧所属 横浜国立大学 大学院工学研究院 機能の創生部門
旧所属 横浜国立大学 大学院工学研究院 機能の創生部門 について
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職名:
特別研究教員
研究分野 (1件):
反応工学、プロセスシステム工学
研究キーワード (6件):
CFD
, メンブレンリアクター
, CVD
, CFD
, membrane reactor
, CVD
競争的資金等の研究課題 (3件):
2004 - 超高濃度オゾンによるシリコン酸化プロセスの数値解析
2000 - メンブレンリアクター開発への数値解析的アプローチ
2000 - Numerical analysis of menbrane reactor
MISC (69件):
Hitoshi Habuka, Satoko Oda, Yasushi Fukai, Katsuya Fukae, Takashi Takeuchi, Masahiko Aihara. Etch rate and surface morphology of polycrystalline beta-silicon carbide using chlorine trifluoride gas. THIN SOLID FILMS. 2006. 514. 1-2. 193-197
Hitoshi Habuka, Satoko Oda, Yasushi Fukai, Katsuya Fukae, Takashi Takeuchi, Masahiko Aihara. Etch rate and surface morphology of polycrystalline beta-silicon carbide using chlorine trifluoride gas. THIN SOLID FILMS. 2006. 514. 1-2. 193-197
H Habuka, HR Pan, K Fujita, M Kato, T Takeuchi, M Aihara. Air flow in square quartz plate spin cleaner. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2005. 44. 11. 8182-8185
H Habuka, HR Pan, K Fujita, M Kato, T Takeuchi, M Aihara. Air flow in square quartz plate spin cleaner. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2005. 44. 11. 8182-8185
H Habuka, T Suzuki, S Yamamoto, A Nakamura, T Takeuchi, M Aihara. Dominant rate process of silicon surface etching by hydrogen chloride gas. THIN SOLID FILMS. 2005. 489. 1-2. 104-110
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書籍 (1件):
水素利用技術集成Vol.2
エヌ・ティー・エス 2005
Works (2件):
オゾンガスの流れとシリコン酸化レートの相関に関する研究
2005 -
オゾンガスの流れとシリコン酸化レートの相関に関する研究
2004 -
学歴 (2件):
- 1993 早稲田大学 理工学部 応用化学化
- 1993 早稲田大学
学位 (1件):
工学博士 (東京大学)
経歴 (3件):
2001 - 2004 横浜国立大学大学院工学研究院 助手
2004 - - 国立大学法人横浜国立大学大学院工学研究院 助手
1998 - 2001 横浜国立大学工学部物質工学科 助手
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