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J-GLOBAL ID：200902241511646510   整理番号：05A0677516

塩化水素ガスによるシリコン表面エッチングの支配的速度過程

Dominant rate process of silicon surface etching by hydrogen chloride gas
著者 (6件)：
HABUKA Hitoshi

HABUKA Hitoshi について

(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)

Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN について

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SUZUKI Takahiro

SUZUKI Takahiro について

(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)

Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN について

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YAMAMOTO Sunao

YAMAMOTO Sunao について

(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)

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NAKAMURA Akio

NAKAMURA Akio について

(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)

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TAKEUCHI Takashi

TAKEUCHI Takashi について

(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)

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AIHARA Masahiko

AIHARA Masahiko について

(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)

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資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 489  号： 1-2  ページ： 104-110  発行年： 2005年10月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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水素雰囲気中,大気圧で温度範囲1023~1423Kにおいて1...
シソーラス用語：
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*ケイ素

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
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塩化水素ガス

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シリコン

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エッチング

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支配

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