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J-GLOBAL ID:200902258693940000   整理番号:06A0548730

三ふっ化塩素ガスを使用した多結晶β-シリコンカーバイドのエッチング速度及び表面モルホロジー

Etch rate and surface morphology of polycrystalline β-silicon carbide using chlorine trifluoride gas
著者 (6件):
資料名:
巻: 514  号: 1-2  ページ: 193-197  発行年: 2006年08月30日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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固体デバイス製造技術一般 
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