研究者
J-GLOBAL ID:200901020556017947
更新日: 2024年04月17日
曽根川 富博
ソネガワ トミヒロ | Tomihiro Sonegawa
所属機関・部署:
琉球大学 工学部 電気電子工学科
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職名:
助教
研究分野 (1件):
電気電子材料工学
研究キーワード (2件):
酸化物セラミックス材料
, 電気・電子材料
競争的資金等の研究課題 (3件):
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強誘電体セラミックスの作製
強誘電体薄膜の作製
MISC (14件):
曽根川富博, 上原和浩, 前濱剛廣. 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価. 電子情報通信学会論文誌C. 2011. 94. 10. 316-322
曽根川富博, 上原和浩, 前濱剛廣. 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価. 電子情報通信学会論文誌C. 2011. 94. 10. 316-322
T.Sonegawa. Ferroelectric thin films prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation. Jpn. J. Appl. Phys. 2001. 40. 28. 1049-1051
T.Sonegawa. Thin-Film Deposition of (BaxSr1-x)TiO3 by Pulsed Ion Beam Evaporation. IEEE Transactions on Plasma Science. 2001. 28. 5. 1545-1549
T.Sonegawa. Ferroelectric thin films prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation. Jpn. J. Appl. Phys. 2001. 40. 28. 1049-1051
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学位 (1件):
工学博士 (長岡技術科学大学)
経歴 (2件):
2007/04/01 - - , 琉球大学 工学部 電気電子工学科 助教
2007/04/01 - - , University of the Ryukyus, Faculty of Engineering Department of Electrical and Electronics Engineering, Research Associate
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