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J-GLOBAL ID：201102297658130750   整理番号：11A1586540

低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

著者 (3件)： 曽根川富博 (琉球大 工) ,  上原和浩 (琉球大 工) ,  前濱剛廣 (琉球大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J94-C  号： 10  ページ： 316-322  発行年： 2011年10月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代LSI層間絶縁膜として期待されているLow-k薄膜材料を,陽極化成により多孔質化した陽極化成Siを熱酸化することで作製した。試料は,低抵抗n型Si単結晶を原材料として,陽極化成電流密度の変化で多孔度を変えた陽極化成Siを作製し,それを1000°Cの酸素ガス中で熱酸化を行うことで作製した。試料の誘電率は,5×10²~5×10⁶Hzの周波数の範囲で変化は見られない。また,電流密度100mA/cm²で作製した多孔度73%の陽極化成Siを酸化した試料の誘電率は,k=3.0の値が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *誘電材料 ,  陽極酸化処理 ,  *多孔質シリコン ,  電気測定 ,  超LSI ,  誘電測定
準シソーラス用語： *層間絶縁膜 ,  低誘電率絶縁材料 ,  誘電特性測定

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (11件)：

• 吉見 信, 福島敏高, “国際半導体技術ロードマップ (ITRS2001) 報告, “応用物理, vol.71, no.10, pp. 1241-1246, Oct.2002.
• A. Grill and V. Patel, “Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition,” Appl. Phys. Lett., vol.79, pp. 803-805, Aug.2001.
• A. Grill and D. A. Neumayer, “Structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SiCOH films: Fourier transform infrared spectroscopy characterization,” J. Appl. Phys., vol.94, no.10, pp. 6697-6707, Nov.2003.
• T. Maehama, C. Afuso, and N. Itoh, “Structural analysis of porous silicon multilayer using X-ray diffraction,” Jpn. J. Appl. Phys.1, Regul. Pap. Short Notes, vol.37, no.3A, pp. 998-1005, March 1998.
• T. Maehama, A. Yonamine, and T. Sonegawa, “Measurement of porosity of porous silicon using X-ray refraction effect,” Jpn. J. Appl. Phys.1, Regul. Pap. Short Notes, vol.39, no.6A, pp. 3649-3656, June 2000.

タイトルに関連する用語 (7件)： 低誘電率 ,  熱酸化 ,  陽極化成 ,  Si ,  作製 ,  誘電特性 ,  評価