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J-GLOBAL ID：200902176853422358   整理番号：01A0503816

裏面パルスイオンビーム蒸発によって作製した強誘電体薄膜

Ferroelectric Thin Films Prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation.
著者 (5件)：
SONEGAWA T

SONEGAWA T について

(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)

Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN について

, 
ARAKAKI T

ARAKAKI T について

(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)

Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN について

, 
MAEHAMA T

MAEHAMA T について

(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)

Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN について

, 
JIANG W

JIANG W について

(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)

Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN について

, 
YATSUI K

YATSUI K について

(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)

Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 40  号： 2B  ページ： 1049-1051  発行年： 2001年02月28日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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強力パルスイオンビーム蒸発による裏面蒸着によってSi(100...
シソーラス用語：
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*薄膜成長

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*PZT【鉛化合物】

PZT【鉛化合物】 について

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分類 (1件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

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タイトルに関連する用語
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パルスイオンビーム

パルスイオンビーム について

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蒸発

蒸発 について

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作製

作製 について

, 
強誘電体薄膜

強誘電体薄膜 について


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