研究者
J-GLOBAL ID:200901025754857014
更新日: 2020年08月27日
河野 健次
コウノ ケンジ | Kohno Kenji
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研究分野 (3件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (10件):
太陽電池
, 薄膜
, 半導体
, 微結晶
, アモルファス
, solar cell
, thin film
, semiconductor
, microcrystal
, amorphous
競争的資金等の研究課題 (5件):
2000 - 電気火災の原因調査研究
Si doped glassの製作とその物性研究
微結晶SiGeB合金薄膜の物性とそのdeviceへの応用
Preparation and Properties of Si Microcrystals Embedded in SiO
2
glass films.
Properties and apprications for devices of microcrystalline B-Si-Ge alloys.
MISC (19件):
Y Osaka, K Kohno, H Mizuno, N Koshida. Physical properties of SiO2-doped Si films and electroluminescence in metal/SiO2-doped Si/p-Si diodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 12. 7481-7486
Y Osaka, K Kohno, H Mizuno, N Koshida. Physical properties of SiO2-doped Si films and electroluminescence in metal/SiO2-doped Si/p-Si diodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 12. 7481-7486
Physical Properties of Heavily B-doped Microcrystalline Si-Ge Alloys and Schottky Barrier of B-Si-Ge/P-Si. Jpn. J. Appl. Phys. 1998. 37. 10. 5708-2713
Formation of MIS structure(B/hexagonal BN/graphite)on graphite by plasma CVD. Technical Digest of the 8th symposium on Plasma Sciencs for Materials. 1995. 63
Photoluminescens of Si Microcrystals Embedded in SiO
2
Glass Films. 1994
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学歴 (2件):
- 1967 広島大学 工業教員養成所 電気工学科
- 1967 広島大学
学位 (1件):
工学博士 (広島大学)
経歴 (1件):
広島国際学院大学 工学部 総合工学科 教授
所属学会 (3件):
日本航空宇宙学会
, 応用物理学会
, 電気学会
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