文献
J-GLOBAL ID:200902134949204608   整理番号:03A0076225

SiO2ドープSi膜の物理特性と金属/SiO2ドープSi/p-Siダイオードのエレクトロルミネセンス

Physical Properties of SiO2-doped Si Films and Electroluminescence in Metal/SiO2-doped Si/p-Si Diodes.
著者 (4件):
資料名:
巻: 41  号: 12  ページ: 7481-7486  発行年: 2002年12月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
rfマグネトロンスパッタリングによってSi薄膜中にSiO<s...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0076225&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス  ,  発光素子 
引用文献 (13件):

前のページに戻る