文献

J-GLOBAL ID：200902134949204608   整理番号：03A0076225

SiO₂ドープSi膜の物理特性と金属/SiO₂ドープSi/p-Siダイオードのエレクトロルミネセンス

Physical Properties of SiO₂-doped Si Films and Electroluminescence in Metal/SiO₂-doped Si/p-Si Diodes.

著者 (4件)： OSAKA Y (Hiroshima Kokusaigakuin Univ., Hiroshima, JPN) ,  KOHNO K (Hiroshima Kokusaigakuin Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIZUNO H (Tokyo Univ. Agricuture and Technol., Koganei, JPN) ,  KOSHIDA N (Tokyo Univ. Agricuture and Technol., Koganei, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 12  ページ： 7481-7486  発行年： 2002年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfマグネトロンスパッタリングによってSi薄膜中にSiO<s...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0076225&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (13件)：

• 1) L. T. Canham: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1046.
• 2) W. Cole, J. F. Havery, R. A. Lux and D. W. Eckart: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 2800.
• 3) Y. Osaka, T. Toyomura, H. Katayama and K. Kohno: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L1148.
• 4) R. L. Schvlt, D. G. Raverhall and H. W. Wyld: Phys. Rev. B 39 (1989) 5746.
• 5) The detailed results of this calculation will be published elsewhere.

タイトルに関連する用語 (7件)： SiO2 ,  ドープ ,  Si膜 ,  物理特性 ,  Si ,  ダイオード ,  エレクトロルミネセンス