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J-GLOBAL ID：201302247109286958   整理番号：13A1077174

中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価

Fabricaton and evaluation of BGaN for the realization of neutron semiconductor detector

著者 (6件)： 渥美勝浩 (静岡大 大学院工学系研究科) ,  三宅亜紀 (静岡大 大学院工学系研究科) ,  三村秀典 (静岡大 電子工研) ,  井上翼 (静岡大 大学院工学系研究科) ,  青木徹 (静岡大 電子工研) ,  中野貴之 (静岡大 大学院工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 40(CPM2013 1-21)  ページ： 19-22  発行年： 2013年05月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,新しい放射線の利用として中性子によるイメージング技術が期待されており中性子半導体検出器の開発が重要となっている。我々は,Bを中性子コンバーターに用いたBGaNを提案し,新規中性子半導体検出器として研究している。本研究ではGaNおよびBGaNをMOVPE法により作製し,放射線検出特性について評価を行った。中性子検出器として重要となるγ線とα線の分離をGaN薄膜にて評価したところα線のみに検出感度が十分にあることが確認できた。更にBGaNを作製し中性子照射を行ったところ,中性子を捕獲した際に検出信号を確認することができた。これらの結果から,我々の提案するBGaNは中性子検出半導体材料として有用であることが示された。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体検出器 ,  *中性子検出器 ,  画像技術 ,  中性子ラジオグラフィー ,  窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  *ホウ素化合物 ,  *窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  α粒子ビーム ,  γ線 ,  *薄膜成長 ,  X線診断 ,  診断 ,  画像診断
準シソーラス用語： イメージング技術 ,  *窒化ガリウムホウ素 ,  中性子イメージング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中性子 ,  半導体検出器 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価