文献
J-GLOBAL ID:202002250703740514   整理番号:20A0114490

両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価

著者 (8件):
資料名:
巻: 119  号: 304(LQE2019 76-101)  ページ: 41-44  発行年: 2019年11月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
小型紫外線レーザの実現に向けて,SHGデバイスを用いたデバイスの実現が期待されている。紫外SHGデバイスのひとつとしてGaNの極性構造を利用したGaN-QPM結晶の作製があげられる。GaN-QPM結晶の作製方法として,カーボンマスク用いた両極性同時成長法が提案され開発が行われている。本研究では両極性同時成長法を用いて,狭ピッチGaN-QPM結晶の作製及び光学特性評価を行った。両極性同時成長技術の開発において,各極性GaNの成長レート比はV/III比により制御可能であることが明らかとなった。光学特性評価において,作製されたGaN-QPM結晶に由来するSHGが確認された。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 

前のページに戻る