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J-GLOBAL ID：202002250703740514   整理番号：20A0114490

両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価

著者 (8件)： 松久快生 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  小林佑斗 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  石原弘基 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  杉浦真子 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  杉田篤史 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  井上翼 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  中野貴之 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  中野貴之 (静岡大 電子工研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 304(LQE2019 76-101)  ページ： 41-44  発行年： 2019年11月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 小型紫外線レーザの実現に向けて,SHGデバイスを用いたデバイスの実現が期待されている。紫外SHGデバイスのひとつとしてGaNの極性構造を利用したGaN-QPM結晶の作製があげられる。GaN-QPM結晶の作製方法として,カーボンマスク用いた両極性同時成長法が提案され開発が行われている。本研究では両極性同時成長法を用いて,狭ピッチGaN-QPM結晶の作製及び光学特性評価を行った。両極性同時成長技術の開発において,各極性GaNの成長レート比はV/III比により制御可能であることが明らかとなった。光学特性評価において,作製されたGaN-QPM結晶に由来するSHGが確認された。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *位相整合 ,  *第二高調波発生 ,  紫外レーザ ,  光学的性質 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 擬似位相整合

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (7件)：

• A. Chowdhury, H. M. Ng, M. Bhardwaj, N. G. Weimann, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1077.
• M. Stutzmann, O. Ambacher, M. Eickhoff, U. Karrer, A. Lima Pimenta, R. Neuberger, J. Schalwig, R. Dimitrov, P. J. Schuck, R. D. Grober, Phys. Stat. Sol. (b) 228 (2) 505.
• H. Matsumura, Y. Kanematsu, T. Shimura, T. Tamaki, Y. Ozeki, K. Itoh, M. Sumiya, T. Nakano, S. Fuke, Appl. Phys. Express 2 101001.
• Y. Fujita, Y. Takano, Y. Inoue, M. Sumiya, S. Fuke, T. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 2013, 52, 08JB26.
• K. Kuze, N. Osumi, Y. Fujta, Y. Inoue, T. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 2016, 55, 05FA05.

タイトルに関連する用語 (7件)： 両極性 ,  成長 ,  GaN ,  結晶 ,  作製 ,  SHG ,  光学特性評価